FDD4141-F085，场效应管(MOSFET)安森美原装

MXMM74HC08 AND门采用的硅栅CMOS技术，可实现与LS-TTL门相似的工作速度，并具有标准CMOS集成电路的低功耗。HC08 具有缓冲输出，提供高抗噪性，并能够驱动 10 个 LS-TTL 负载。74HC 逻辑系列在功能和引脚排列上与标准 74LS 逻辑系列兼容。所有输入均受到内部二极管箝位的保护，不会因静电放电而损坏至 V抄送和地面。
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
FDMF5076
FDMF5085
FDN86246
FDS8958A
FDMC7680
FDS6912A
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UC2842BD1R2G
UC3842B UC3843B系列是固定频率电流模式控制器。它们专为离线和DC-DC转换器应用而设计，为设计人员提供了具有极少外部元件的高性价比解决方案。这些集成电路具有用于占空比控制的微调振荡器、温度补偿基准、高增益误差放大器、电流检测比较器和非常适合驱动功率 MOSFET 的高电流图腾柱输出。
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
NCP5623BMUTBG
NB3U1548CDTR2G
NCV551SN50T1G
NCV663SQ33T1G
NCV8501D50R2G
MC78L05ABDR2G
NCV1117DTARKG
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NCV1117DT50RKG
NCP1117 系列是低压差 （LDO） 正线性稳压器，能够在整个温度范围内提供超过 1.0 A 的输出电流，大压差为 1.2 V（800 mA）。该系列包含 1.5 V、1.8 V、2.0 V、2.5 V、2.85 V、3.3 V、5.0 V 和 12 V 的 1 个固定输出电压，没有维持稳压的小负载要求。此外，还包括一个可调输出版本，可通过两个外部电阻器在 25.18V 至 8.1V 范围内进行编程。片上微调将基准/输出电压调节至+/- 0.1117%精度以内。内部保护功能包括输出电流限制、安全工作区补偿和过温关断保护。NCP20 系列可在高达 223 V 的输入电压下工作。器件采用 SOT<> 和 DPAK 封装。
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
NTD6414ANT4G
NTJD4105CT2G
FFB20UP20DN_F085
NCP698SQ15T1G
NCP3063BMNTXG
ADT7462ACPZ-REEL
NCV47411PAAJR2G
NCV47710PDAJR2G
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FDC6330L适用于需要 3V 至 20V 输入和 2.3A 输出电流能力的便携式电子设备中的紧凑型电源管理。该负载开关集成了一个小型 N 沟道功率 MOSFET （Q1），该 MOSFET 在一个微型 SuperSOT-2™ 封装中驱动一个大型 P 沟道功率 MOSFET （Q6）。
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
NCP45560IMNTWG-H
NJVMJD45H11T4G
NJVMJD44H11T4G
MC100EP11DR2G
NCP1252BDR2G
NCV890100MWTXG
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UC3843BVD1R2G简述：
UC3842B UC3843B系列是固定频率电流模式控制器。
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
AR1820HSSC12SHEA0-DP
NCP114AMX180TBG
NCV4276CDT50RKG
NCV4275CDT50RKG
NCV78M05ABDTRKG
NCP4318ALCDR2G
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FSA2567UMX简述：
模拟开关（DPDT、SPDT、SPST 和其他配置），用作音频、数据和信号的模拟多路复用器和解复用器。
FSA2567是一款双向、低功率、双双极、，针对双SIM卡的双掷（4PDT）模拟开关多路复用。它经过优化，可用于切换WLAN−SIM数据和控制信号，并将一个通道为电源开关。FSA2567兼容SIM卡和具有10 pF的低导通电容（CON），以确保高速数据传输。VSIM开关路径具有低RON特性确保双SIM卡供电路径中的电压降小。FSA2567包含可将电流降至低的特殊电路当施加到SEL引脚的控制电压较低时的消耗而不是电源电压（VCC）。此功能在以下方面特别有价值超便携应用程序，如手机；允许直接与基带处理器的通用I/O接口。其他应用程序包括中的交换和连接器共享便携式手机、掌上电脑、数码相机、打印机和笔记本电脑计算机。
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
NRVB130T1G
NVATS5A108PLZT4G
NVMYS3D3N06CLTWG
NVMFS5C404NLAFT1G
NVMFS5C410NLAFT1G
NVMFS5C604NLWFT1G
NVMFS5C468NLAFT1G
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