W25N512GWEKR，WINBOND/华邦存储芯片

W25Q32JV（
32M位）串行闪存为空间、引脚和功率有限的系统提供了一个存储解决方案。25Q系列提供的灵活性和
性能远远超过普通的系列闪存设备。它们是理想的代码阴影到RAM，直接从双/四轴SPI（
XIP）执行代码，并存储
语音、文本和数据。该设备运行在一个2.7V到3.6V的电源与1µA断电。所有的设备都有节省空间的套餐。
W25Q32JV阵列被组织成16,384个可编程页，每页有256字节。一次多可以编程256个字节。页面可分为16组(4KB
扇区清除）、128组(32KB块删除）、256组(64KB块删除）或整个芯片（芯片清除）。W25Q32JV分别有1,024个可
擦除扇区和64个可擦除块。小型的4KB扇区允许在需要数据和参数存储的应用程序中具有更大的灵活性。
WINBOND/华邦其他部分型号：
W19B160BBT7H W24L257S70LL
W19B320ABT7H W256128JVSIQ
W19L320STT9C W25D40VNIG
W241024AI-15 W25D40VSSIG
W24129AS-35 W25D80SCP
W24257AJ-15 W25D80VSSIG
W24257AS-35 W25H512JVFAM
W24258-70LL W25LQ32DWIG
W2465AJ-15 W25M02GVZEIG
W2465S-70LL W25M02GWZEIG
WINBOND/华邦常用型号备有大量现货，公司承诺所售产品均为原装，如需了解更多品牌，产品型号规格请咨询我们的销售人员。

W634GU6NB-12
W634GU6NB-11
W634GU6NB-09
W634GU6NB-15
DDR3 SDRAM提供了比DDR2 SDRAM更大的频宽并广泛用于汽车，工业，电视，机上盒，网路设备，电脑，BD播放器等。
已发布的 CAS，具有可编程的加性延迟（AL = 0、CL - 1 和 CL - 2），可提高命令、地址和数据总线效率
读取延迟 = 附加延迟加上 CAS 延迟 （RL = AL + CL） 读取和写入突发
的自动预充电操作 刷新、自刷新、自动自刷新 （ASR） 和部分阵列自刷新 （PASR）
预充电掉电和主动断电
用于写入数据
的数据掩码 （DM）
每个工作频率
的可编程 CAS 写入延迟 （CWL） 写入延迟 WL = AL + CWL
多用途寄存器 （MPR），用于读出预定义的系统时序校准位序列 通过写入电平和 MPR 读取模式
支持系统级时序校准 ZQ 使用外部基准电阻对地对地对输出
驱动器和 ODT 进行校准 用于上电初始化序列
和复位功能的
可编程片上端接 （ODT），用于数据、数据掩模和差分选通对
动态 ODT 模式可改善写入
期间的信号完整性和可预选的端接阻抗 2K 字节页面大小
接口：SSTL_15
WINBOND/华邦其他部分型号：
W25Q20EWBYIG W25Q256JVEIM
W25Q20EWSVIG W25Q256JVEIQ
W25Q20EWUXIE W25Q256JVEIQT
W25Q256FVEIG W25Q256JVEQ
W25Q256FVEIM W25Q256JVFAM
W25Q256FVEIQ W25Q256JVFIM
W25Q256FVEJQ W25Q256JVFIN
W25Q256FVEM W25Q256JVFIQ
W25Q256FVFG W25Q256JVFJQ
W25Q256FVFIG W25Q256JVFQ
W25Q256JVEAQ W25Q256JWFIQ
公司承诺所售产品均为原装，更多信息请或电话咨询我们的销售人员。

W958D6DBC：这是一个256M位CellularRAM™兼容产品，组织为16M字乘16位;专为低功耗便携式应用开发的高速CMOS伪静态随机存取存储器。
PSRAM（虚拟静态随机存取记忆体）是由一个DRAM主体核心与传统SRAM介面所组成。晶片上的刷新电路，可省略使用者需要记忆体刷新的考量。相对于传统的CMOS SRAM，PSRAM具有更高容量，高速度，更小的晶片尺寸，以及与DRAM相容的优势
WINBOND/华邦其他部分型号：
W25Q64DWSS1G W25Q64FVSSBQ
W25Q64DWSTIM W25Q64FVSSIG
W25Q64DWZPIG W25Q64FVSSIQ
W25Q64FVAIQ W25Q64FVSTIM
W25Q64FVBYIF W25Q64FVTCIP
W25Q64FVFIG W25Q64FVZEIG
W25Q64FVSFIG W25Q64FVZPIG
W25Q64FVSIG W25Q64FWBYIG
W25Q64FVSIQ W25Q64FWIG
公司承诺所售产品均为原装，更多信息请或电话咨询我们的销售人员。