复制胶建筑材料电子胶深圳厂家

联系人鲍红美固化时间24小时

怎样清除残留的硅胶？

在胶固化之前，用一锋利小刀（或干净棉质擦布）即可刮除未固化的胶体，然后再使用异丙醇等溶剂清洗剩余物。胶固化后，可先用小刀刮除尽可能多的硅胶，然后使用溶剂（120#溶剂油、酒精、二甲苯和丙酮等）去除各种残余物，浸泡并使其分解。

二、如何避免气泡的产生？

1、推荐使用低粘度及操作时间长的产品，这样可在材料固化前将空气排出

2、保持固化温度在45℃以下，避免温度过高而导致气孔无法排出

4、怎样确定配比？

四、使用说明                                           

 产品工艺性能较好，可直接施工，施工方法可采用毛笔涂抹、滚涂、点胶机自动挤出或丝网印刷。

 对所有接触表面用溶剂清洁后再涂抹硅脂，填满间隙的前提下越薄越好，多涂并无益处，反而会影响热传导

效率。

 用干净的工具如剃刀片，信用卡边或干净的小刀挑起少许导热硅脂转移到施工部位，用刮板刮平，再用无绒布将施工部

位周边多余的导热硅脂擦干净。

五、包装                                             

 塑料筒装，净容量为300ML、500ML、1L、5L；

 金属软管包装, 净容量为50ML、100ML 300ML 2600ML 10KG。

光刻工艺约占整个芯片制造成本的35%，耗时占整个芯片工艺的40%~60%，是半导体制造中核心的工艺。
以半导体光刻胶为例，在光刻工艺中，光刻胶被均匀涂布在衬底上，经过曝光(改变光刻胶溶解度)、显影(利用显影液溶解改性后光刻胶的可溶部分)与刻蚀等工艺，将掩膜版上的图形转移到衬底上，形成与掩膜版完全对应的几何图形。
光刻技术随着IC集成度的提升而不断发展。为了满足集成电路对密度和集成度水平的更高要求，半导体用光刻胶通过不断缩短曝光波长以提高极限分辨率，世界芯片工艺水平目前已跨入微纳米级别，光刻胶的波长由紫外宽谱逐步至g线（436nm）、i线（365nm）、KrF（248nm）、 ArF（193nm）、F2（157nm），以及的EUV(<13.5nm)线水平。