传统钎焊料熔点低、导热性差,难以满足高功率器件封装及其高温应用要求。此外随着第三代半导体器件(如碳化硅和氮化镓等)的快速发展,对封装的性能方面提出了更为严苛的要求。AS9385有压银烧结技术是一种新型的高可靠性连接技术,在功率模块封装中的应用受到越来越多的关注。
烧结银技术的优势与特点
1.什么是烧结银技术
20世纪80年代末期,Scheuermann等研究了一种低温烧结技术,即通过银烧结银颗粒AS9385实现功率半导体器件与基板的互连方法。
银烧结是一种经过验证的芯片粘接技术,可确保无空隙和高强度键合,并具有高导热性和导电性。 这种有压烧结银AS9385技术良品率高,十分可靠。
SHAREX的AS9385银烧结技术也被成为低温连接技术(Low temperature joining technique,LTJT),作为一种新型无铅化芯片互连技术,AS9385烧结银可在低温(<250℃)条件下获得耐高温(>700℃)和高导热率(~240 W/m·K)的烧结银芯片连接界面,具有以下几方面优势:
①烧结连接层成分为银,具有的导电和导热性能;②由于银的熔点高达(961℃),将不会产生熔点小于300℃的软钎焊连接层中出现的典型疲劳效应,具有的可靠性;
烧结得到的连接层为多孔性结构,孔洞尺寸在微米及亚微米级别,连接层具有良好的导热和导电性能,热匹配性能良好。