重庆生产善仁SiC碳化硅烧结银膏

纳米烧结银做为SiC芯片封装的互连层研究总结
IGBT功率器件被广泛用于新能源电车、车载逆变器上，做主要的控制元器件，而以SiC为代表的第三代半导体材料所制成的功率器件能够承受500℃左右甚至更高的温度，比Si小近千倍的导通电阻，多20倍左右的开关频率等性。

近年来以善仁新材开发的纳米烧结银技术为代表的低温连接技术是目前功率器件朝耐高温、高可靠性应用发展的主要趋势，其基本原理是利用纳米尺度下金属颗粒的高表面能、低熔点特性来实现芯片与基板的低温低压烧结互连。

善仁新材的纳米烧结银互连层的制作工艺
其工艺主要包括：
① 在覆铜（Cu）基板上涂覆或者丝网印刷纳米烧结银，将芯片放置在纳米银膏上；

纳米烧结银互连层的孔隙研究
善仁公司统计了在不同时间和温度下孔隙率情况。发现孔隙率的大小和芯片的大小有很大的关系，采用无压纳米烧结银AS9375封装5*5mm的小芯片，几乎无孔隙。对于大于5*5mm的芯片，空隙率会在3-8%之间。孔隙主要由小孔和中孔组成，在250℃烧结时，空隙会很少。

善仁新材研究院通过各种测试得知：纳米烧结银的互连层的空隙大小和空隙率高低和烧结温度，升温速率，保温时间等有密切的关系。

纳米烧结银互连层的蠕变性能
善仁研究院通过实验发现：蠕变应力指数以及激活能分别与环境温度和加载应力的关系很大，建议客户根据自己芯片的大小和界面的镀层材料选择适合的烧结温度和是否加压。