嘉兴定制FRED快恢复二极管供应商

反向恢复时间（tr）的定义：电流通过零点由正向转换到规定低值的时间间隔。它是衡量高频续流及整流器件性能的重要技术指标。反向恢复电流的波形如图1所示。IF为正向电流，IRM为大反向恢复电流。Irr为反向恢复电流，通常规定Irr=0.1IRM。当t≤t0时，正向电流I=IF。当t>t0时，由于整流器件上的正向电压突然变成反向电压，因此正向电流迅速降低，在t=t1时刻，I=0。然后整流器件过反向电流IR，并且IR逐渐增大；在t=t2时刻达到大反向恢复电流IRM值。此后受正向电压的作用，反向电流逐渐减小，并在t=t3时刻达到规定值Irr。从t2到t3的反向恢复过程与电容器放电过程有相似之处。

随着电力电子技术向高频化、模块化方向发展，直插超快速恢复作为一种高频器件也得到蓬勃发展，现已广泛用于各种高频逆变装置和斩波调速装置内，起到高频整流、续流、吸收、隔离和箝位的作用，这对发展我国高频逆变焊机、高频开关型电镀电源、高频开关电源、高频快速充电电源、高频变频装置及功率因数校正装置等将起到推动作用。

、节能、节电和节材，并能提高产品质量和劳动生产率的高频逆变装置将逐步替代目前正在大量生产、体积庞大、效率低和对电网污染严重的晶闸管工频电源，对加速我国电力电子产品的更新换代周期将起到决定性作用。

选用快恢复二极管考虑方案位置频率与器件恢复时间上的匹配，其次选择峰值电压多出30%以上的耐压器件型号，终考虑方案对应位置电流的正向压降值在匹配的适当区间。

快恢复二极管芯片PN结构终止区用采用玻璃钝化技术，其热膨胀系数与硅的热膨胀系数相匹配。所有的硅芯片越来越多的使用保护环平面技术和沟道阻断来降低芯片的表面电场。

在二极管中，超快恢复二极管是一个不可或缺的存在。由于仅有几十纳秒级的反向恢复时间，同时能够禁受得住几百伏甚至上千伏的反向高压，所以它们一直在中高功率的开关整流应用中大显身手。