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直拉式单晶生长炉的制作方法、专利名称：直拉式单晶生长炉的制作方法、技术领域：本发明涉及一种直拉式单晶生长炉。背景技术：图1为切克劳斯基(直拉)法制造硅单晶的单晶炉剖面示意图；图1-2 中，l为炉筒，2为保温盖，3为保温盖，4为保温材津牛，5为保温罩，6为 加热器，7为水套，8为石英埚，9为导流筒，IO为炉底护盘、12为输 入管、11为分布有出气孔11-1的环形气体分布器、13为排气口。直拉硅单晶在生长过程中需要向炉内不断充入，并与炉内生成的 一氧化硅及杂质粉尘混合，由于单晶炉内的加热器和坩埚支持器等均由石 墨制成， 一氧化硅易腐蚀所述石墨制成的器件且杂质粉尘易吸附在这些器 件上，从而影响了单晶炉的使用寿命。分子泵回收，真空泵回收，真空流量计回收，plc编程回收，控制屏回收，离子泵回收，涡轮分子泵回收，螺杆真空泵回收，涡旋高真空泵回收，由于惯性离心力的作用，尘粒和气流会产生相对运动，使尘粒从气流中分离、惯性碰撞和接触阻留含尘气流在运动过程中遇到物体的阻挡(如挡板、纤维、水滴等) 时，气流要改变方向进行绕流，细小的尘粒会随气流一起流动。粗大的尘粒具有较大的惯性,它会脱离流线，保持自身的惯性运动，这样尘粒和物体发生了惯性碰撞而脱离气流(见图1)。细小的尘粒随气流一起绕流时，如果流线紧靠物体(纤维或液滴) 表面，有些尘粒因与物体发生接触而被阻留,这种现象称为接触阻留。另外当尘粒尺寸大于纤维网眼而被阻留时，这种现象称为筛滤作用。