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所述主炉室内设置有主炉室坩埚，所述下驱动装置和主炉室坩埚相连，以便通过下驱动装置动主炉室坩埚升降，所述副炉室和主炉室相连通，所述上驱动装置安装在副炉室的上端，以便通过上驱动装置驱动拉晶，它还包括：外部加料器，所述外部加料器内设置有加料腔，所述加料腔内设置有加料坩埚，所述外部加料器的盖装有上盖；用于熔化硅料的外部化料器，所述外部化料器的和加料坩埚相连通，所述外部化料器的底端和主炉室坩埚相连通，以便将硅料加加料坩埚后，硅料漏外部化料器后被外部化料器熔化，被熔化后的硅料流主炉室坩埚内。进一步提供了外部化料器的具体结构，所述外部化料器包括装料器、化料器坩埚和用于给化料器坩埚加热以便硅料熔化的热场，所述装料器和加料坩埚相连通，所述化料器坩埚和装料器相连通，所述热场套装在化料器坩埚的外侧，便硅料依次进入加料坩埚、装料器和化料器坩埚，并在化料器坩埚内经热场熔化后又进入主炉室坩埚。分子泵回收，真空泵回收，真空流量计回收，plc编程回收，控制屏回收，离子泵回收，涡轮分子泵回收，螺杆真空泵回收，涡旋高真空泵回收，半导体级直拉法的工艺控制\进入21世纪以来,随着新兴产业的科技创新,半导体行业得到了的发展。半导体产业发展迅猛,尤其近几年,大力发展半导体产业,缩短该行业与世界水平的差距。目前虽然有许多新兴材料来替代硅材料,但未来几年可以预见,硅材料由于其成熟的技术品质和稳定的物理化学性质,将会在相当长的一段时间里是主流材料。硅单晶作为主要材料,应用的领域也是相当广泛的。硅单晶是由多晶硅原料经过物理变化,让硅原子按照人为设定的方向进行生长,终形成的。一般会采用直拉法进行制备。晶圆的直径越大,集成电路制造的成本将会越低,因此要求作为材料的硅单晶的直径也要相应的增大。这里面涉及到了一系列问题。这篇论文主要讨论的是通过对热场的设计,工艺的过程控制,减少位错的产生,以及通过化学腐蚀对位错进行检测的相关问题。