STD12NF06LT4，ST场效应管原装供货

STM32F105R8T6特性：
主流互连型ARM Cortex-M3微控制器，具有64 KB闪存、72 MHz CPU、CAN和USB 2.0 OTG
STM32F105xx和STM32F107xx连接系列集成了ARM®皮质®-工作频率为72 MHz的M3 32位RISC内核、高速嵌入式存储器(高达256千字节的闪存和64千字节的SRAM)，以及连接到两条APB总线的大量增强型I/o和外设。所有器件都提供两个12位ADC、四个通用16位定时器和一个PWM定时器，以及标准和通信接口:多两个I2C、三个SPI、两个i2s、五个USARTs、一个USB OTG FS和两个can。以太网仅适用于STM32F107xx。
ST意法MOSFET场效应管型号（部分）：
STF26N65DM2
STF26NM60N
STF27N60M2-EP
STF28N60DM2
STF28N60M2
STF28N65M2
STF2LN60K3
STF2N62K3
STF2N95K5
STF33N60DM6
STF33N60M2
STF33N65M2
STF35N65DM2ST/意法常用型号备有大量现货，公司承诺所售产品均为原装，以信用为基石，诚意合作。如需了解更多品牌，产品型号规格请咨询我们的销售人员。

STB15N80K5
N沟道800 V、0.3 Ohm典型值、14 A MDmesh K5功率MOSFET，D2PAK封装
这款压N-沟道功率MOSFET s采用MDmesh™ K5技术进行设计。该技术以创新专有的垂直工艺为基础。因此，在要求高功率密度和率的应用中，导通电阻显著降低，并具有极低的栅极电荷。
所有功能：
业界的低 RDS(on)x 面积
业界出色的品质因数（FoM）
极低的栅极电荷
经过100％雪崩测试
稳压保护
ST意法其他部分MOSFET场效应管型号：
STB6N60M2
STB6NK60ZT4
STB6NK90ZT4
STB75NF20
STB75NF75LT4
STB75NF75T4
STB80NF10T4
STB80NF55L-08-1
STB8NM60T4
STB9NK50ZT4
STD100N10F7
STD100N3LF3
STD10LN80K5
ST/意法常用型号备有大量现货，我们只做原装，欢迎合作！

STB47N50DM6AG
汽车级N沟道500 V、61 mOhm典型值、38 A MDmesh DM6功率MOSFET，D2PAK封装
符合 AEC-Q101 标准
快速恢复体二极管
较低的RDS（开启）单位面积与上一代相比
低栅极电荷、输入电容和电阻
雪崩测试
的 dv/dt 性
齐纳保护
ST意法其他部分MOSFET场效应管型号：
STD12NF06LT4
STD13N60DM2
STD13N60M2
STD13N60M6
STD13NM60N
STD13NM60ND
STD140N6F7
STD15N50M2AG
STD15N60DM6
STD15NF10T4
STD15P6F6AG
STD16N50M2
STD16N60M6
STD16N65M2
ST/意法常用型号备有大量现货，我们只做原装，欢迎合作！