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快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同,它是在P型、N 型硅材料中间增加了基区1,构 成 P-I-N 硅片,由于基区很薄,反向恢复电荷很小,不仅大大减小了t值,还降低了瞬态正向 压降,使管子能承受很高的反向工作电压。快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒,正向 压降约为 0.6V,正向电流是几安培至几千安培,反向峰值电压可达几百到几千伏。超快恢复二 极管的反向恢复电荷进一步减小,使其 trr可低至几十纳秒。

快恢复二极管是由正向导通栏区和反向击穿栏区组成的双重 PN 结构。其工作原理主要可以概括为在正向偏置下,PN 结进入导通状态;在反向偏置下,PN 结处于截止状态。而在开关过程中,如果仅对快速的电压反转产生响应,就需要使快恢复二极管处于反向偏置,在这个过程中,快恢复二极管会从截止状态变成导通状态,从而完成反向电流的捕获,并且产生一个瞬态开放电容结构的载体与绝缘体之间的电荷,然后通过晶体管将这种载体导出,继续增强元器件的恢复速度。因此,快恢复二极管具有快速导通和快速恢复的特点。

人们通过掺杂制造了具有更高反向耐压结构的二极管,但这种方法的“负面影响”是会引起更高的正向压降,对比于肖特基二极管,它的trr也比较高,达到数百纳秒。因此,如何获得低trr和更高反向耐压的二极管一直是业界追求的目标。这时候就需要我们的超快恢复二极管出场了。

整流二极管(rectifier diode)一种用于将交流电转变为直流电的半导体器件。二极管重要的特性就是单方向导电性。在电路中,电流只能从二极管的正极流入,负极流出。通常它包含一个PN结,有正极和负极两个端子。

高压二极管检测时,可用万用表的R×10k档测量其正、反向电阻值。正常的高压二极管,其正向电阻值大于200kΩ,反向电阻值为无穷大。若测得其正、反向均有一定电阻值,则说明该高压二极管已软击穿损坏。

高压整流二极管的工作原理是利用PN结的单向导电特性。当正向偏压加在二极管上时,PN结导通,电流能够顺利通过;而当反向偏压加在二极管上时,PN结截止,电流无法通过。这种特性使得高压整流二极管能够将交流电转换为单向脉动的直流电。在电力传输、电子设备电源等领域广泛应用。

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