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DL-78型单晶炉的热场和减压工艺\1前言集成电路生产的发展一方面不断缩小元件尺寸，以提高集成度；另一方面不断扩大硅片直径以减少芯片的离故度和降低成本。相应地，作为集成电路基础材料的硅单晶生产也在不断地提高其技术质量指标和增大单晶锭的直径和长度，以满足电路的要求和降低自身的生产成本。在国外市场上，硅晶体直径大致每4～5年增长1时（25．4mm），相应地，生产投料重也由1公斤逐渐发展为3～5公斤、8～12公斤、15～刘公斤和朋～6O公厅等几个等级。在这发展中，有两个条件是相辅相成、共同进步的，这是单晶炉和拉晶工艺。蓝宝石长晶炉回收，多晶硅铸锭炉回收，提拉式长晶炉回收，多晶长晶炉回收，卧式长晶炉回收，拉式单晶炉、收购直拉式单晶炉-85型/90型/95型/100型种种整套单晶回收提炉装备、分子泵回收，真空泵回收，真空流量计回收，plc编程回收，控制屏回收，离子泵回收，涡轮分子泵回收，螺杆真空泵回收，涡旋高真空泵回收，流量计的在此用途10.热电堆的作用原理输入输出(好坏如何检测)11.红外测温仪作用原理输入输出包括依儿根(好坏如何检测)12.各密封处的检测方式13.电动球阀的原理作用原理输入输出(好坏如何检测)14.各水管的来去向15.对中等的调节机构了解各部件的连线方式以及去向///三部分炉体(下部)1.水压表的作用原理输入输出(好坏如何检测)2.电机作用原理输入输出(好坏如何检测)3.编码器,减速器,离合器作用原理输入输出(好坏如何检测)4.手动机构作用原理输入输出(好坏如何检测)

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单晶炉热场的设计与仿真单晶直径在生长过程中可受到温度，提拉速度与转速，坩埚跟踪速度与转速，保护气体的流速等因素的影响。其中温度主要决定能否成晶，而速度将直接影响到晶体的内在质量，而这种影响却只能在单晶拉出后通过检测才能获知。温度分布合适的热场，不仅单晶生长顺利，而且品质较高；如果热场的温度分布不是很合理,生长单晶的过程中容易产生各种缺陷,影响质量，情况严重的出现变晶现象生长不出来单晶。