纳米烧结银胶heraeus烧结银替代上海烧结银

目前电子封装中常用的无铅焊料熔点低于250℃，适用于低于150℃的服役温度。然而，在175-200℃乃至更高的使用温度下，这些连接层的性能将下降甚至熔化，严重影响模块的正常运行和长期可靠性。

2018年标志性的转变---使用碳化硅MOSFET替换传统硅基IGBT于主驱逆变器中，为碳化硅技术在电动汽车中的广泛应用奠定了基础。此后，多家国内新能源汽车品牌纷纷投身碳化硅器件的研发应用。新技术的不断涌现，如800V高压快充，以及新能源汽车市场的持续扩张，促进了碳化硅的飞速发展。

随着800V碳化硅技术日益普及，善仁新材的烧结银技术为汽车电力电子产品封装提供了革命性的解决方案，其应用前景备受关注。