MOS管烧结银车规芯片烧结银替代美国烧结银
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- 更新：2024-07-11
- 地区：全国
- 名称：高可靠加压烧结银,三代半加压烧结银,车规芯片烧结银,碳化硅烧结银,高可靠高性价比烧结银,善仁烧结银,善仁加压烧结银,烧结银AS9385,加压烧结银AS9385
- 联系：刘志 13611616628
目前，银烧结技术成为国内外第三代半导体封装技术中应用为广泛的技术，美国、日本等碳化硅模块生产企业均采用此技术。
与传统的高温无铅钎料相比，AS9385有压银烧结技术烧结连接层成分为银，具有的导电和导热性能，由于银的熔点高达961℃，将不会产生熔点小于300℃的软钎焊连层中出现的典型疲劳效应，具有的可靠性，且其烧结温度和传统软钎焊料温度相当。
目前SHAREX开发的银烧结技术已经由微米银烧结进入纳米银烧结阶段，纳米加压烧结银与市面上原来售卖的微米烧结银技术相比：