新型SiC芯片可用IPM、TPAK方式封装，以应用于电动车逆变器SiC导线架技术为例，导线架Copper Clip和SiC芯片连接采用烧结银AS9385连接技术，
功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心，主要用于改变电子装置中电压和频率、直流交流转换等。可分为功率IC和功率分立器件两大类，二者集成为功率模块（包含MOSFET/IGBT模块、IPM模块、PIM模块）。随着电力电子模块的功率密度、工作温度及其对可靠性的要求越来越高，当前的封装材料已经达到了应用极限。
GVF预烧结银焊片（DTS+TCB（Die Top System +Thick Cu Bonding））能够将电力电子模块的使用寿命延长50多倍，并确保芯片的载流容量提高50%以上。
GVF预烧结银焊片（DTS+TCB（Die Top System +Thick Cu Bonding）和金，银，铜表面剪切强度都很大。
GVF预烧结银焊片（DTS+TCB（Die Top System +Thick Cu Bonding）的使用方法为：Pick & Place；
GVF预烧结银焊片（DTS+TCB（Die Top System +Thick Cu Bonding）可以广泛用于：Die Attach, Die Top Attach, Spacer Attach等。
采用了GVF预烧结银焊片的Diffusion Soldering（扩散焊）技术。简而言之，就是在特定温度和压力条件下，使得SiC芯片的背面金属，与Lead Frame表面金属产生原子的相互扩散，形成可靠的冶金连接，以釜底抽薪之势，一举省去中间焊料，所谓大道至简、惟精惟一，惟GVF预烧结银焊片。一言以蔽之：采用了GVF预烧结银焊片时，降低器件稳态和瞬态热阻，同时提高器件可靠性。