江西HysolEccobondFP4531底填胶,乐泰FP4531
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面议
LOCTITE ECCOBOND FP4531底部填充设计用于具有1毫米间隙的倒装芯片应用。
LOCTITE ECCOBOND FP4531底部填充设计用于具有1毫米间隙的倒装芯片应用。
高频芯片应用。
快速固化
快速流动
通过NASA排气
典型的固化性能
凝胶时间
凝胶时间:121ºC,6分钟
电气性能
体积电阻率,欧姆-cm 1.71×10+16
表面电阻率,欧姆1.87×10+16
介电强度,伏特/密尔1470
介电常数/耗散系数@ 25℃:
@ 100 khz 3.34/0.0088
@ 1 mhz 3.29/0.0071
@ 2 mhz 3.3/0.007
LOCTITE ECCOBOND FP4531底部填充设计用于具有1毫米间隙的倒装芯片应用。
LOCTITE ECCOBOND FP4531底部填充设计用于具有1毫米间隙的倒装芯片应用。
高频芯片应用。
快速固化
快速流动
通过NASA排气
典型的固化性能
凝胶时间
凝胶时间:121ºC,6分钟
电气性能
体积电阻率,欧姆-cm 1.71×10+16
表面电阻率,欧姆1.87×10+16
介电强度,伏特/密尔1470
介电常数/耗散系数@ 25℃:
@ 100 khz 3.34/0.0088
@ 1 mhz 3.29/0.0071
@ 2 mhz 3.3/0.007
LOCTITE ECCOBOND FP4531底部填充设计用于具有1毫米间隙的倒装芯片应用。
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高频芯片应用。
快速固化
快速流动
通过NASA排气
典型的固化性能
凝胶时间
凝胶时间:121ºC,6分钟
电气性能
体积电阻率,欧姆-cm 1.71×10+16
表面电阻率,欧姆1.87×10+16
介电强度,伏特/密尔1470
介电常数/耗散系数@ 25℃:
@ 100 khz 3.34/0.0088
@ 1 mhz 3.29/0.0071
@ 2 mhz 3.3/0.007
北京汐源科技有限公司
导电胶 绝缘胶 三防漆 灌封胶 导热材料 平行封焊 电镀台 键合丝 底部填充胶 相位胶 高频胶 光纤胶LOCTITE ECCOBOND FP4531底部填充设计用于具有1毫米间隙的倒装芯片应用。
LOCTITE ECCOBOND FP4531底部填充设计用于具有1毫米间隙的倒装芯片应用。
高频芯片应用。
快速固化
快速流动
通过NASA排气
典型的固化性能
凝胶时间
凝胶时间:121ºC,6分钟
电气性能
体积电阻率,欧姆-cm 1.71×10+16
表面电阻率,欧姆1.87×10+16
介电强度,伏特/密尔1470
介电常数/耗散系数@ 25℃:
@ 100 khz 3.34/0.0088
@ 1 mhz 3.29/0.0071
@ 2 mhz 3.3/0.007
北京汐源科技有限公司
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LOCTITE ECCOBOND FP4531底部填充设计用于具有1毫米间隙的倒装芯片应用。
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高频芯片应用。
快速固化
快速流动
通过NASA排气
典型的固化性能
凝胶时间
凝胶时间:121ºC,6分钟
电气性能
体积电阻率,欧姆-cm 1.71×10+16
表面电阻率,欧姆1.87×10+16
介电强度,伏特/密尔1470
介电常数/耗散系数@ 25℃:
@ 100 khz 3.34/0.0088
@ 1 mhz 3.29/0.0071
@ 2 mhz 3.3/0.007
热膨胀系数,ppm/℃:
下面的Tg 28
Tg 104以上
玻璃化转变温度(Tg)由TMA,°C 161
可萃取离子含量:
氯化(Cl) 20
钠(Na +) 5
钾(K +) 5
弯曲模量N/mm²7600
(psi) (1102000)
导热系数,W/(m-K) 0.61
北京汐源科技有限公司
LOCTITE ECCOBOND FP4531底部填充设计用于具有1毫米间隙的倒装芯片应用。
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高频芯片应用。
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体积电阻率,欧姆-cm 1.71×10+16
表面电阻率,欧姆1.87×10+16
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介电常数/耗散系数@ 25℃:
@ 100 khz 3.34/0.0088
@ 1 mhz 3.29/0.0071
@ 2 mhz 3.3/0.007
热膨胀系数,ppm/℃:
下面的Tg 28
Tg 104以上
玻璃化转变温度(Tg)由TMA,°C 161
可萃取离子含量:
氯化(Cl) 20
钠(Na +) 5
钾(K +) 5
弯曲模量N/mm²7600
(psi) (1102000)
导热系数,W/(m-K) 0.61LOCTITE ECCOBOND FP4531底部填充设计用于具有1毫米间隙的倒装芯片应用。
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高频芯片应用。
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凝胶时间
凝胶时间:121ºC,6分钟
电气性能
体积电阻率,欧姆-cm 1.71×10+16
表面电阻率,欧姆1.87×10+16
介电强度,伏特/密尔1470
介电常数/耗散系数@ 25℃:
@ 100 khz 3.34/0.0088
@ 1 mhz 3.29/0.0071
@ 2 mhz 3.3/0.007
热膨胀系数,ppm/℃:
下面的Tg 28
Tg 104以上
玻璃化转变温度(Tg)由TMA,°C 161
可萃取离子含量:
氯化(Cl) 20
钠(Na +) 5
钾(K +) 5
弯曲模量N/mm²7600
(psi) (1102000)
导热系数,W/(m-K) 0.61
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高频芯片应用。
快速固化
快速流动
通过NASA排气
典型的固化性能
凝胶时间
凝胶时间:121ºC,6分钟
电气性能
体积电阻率,欧姆-cm 1.71×10+16
表面电阻率,欧姆1.87×10+16
介电强度,伏特/密尔1470
介电常数/耗散系数@ 25℃:
@ 100 khz 3.34/0.0088
@ 1 mhz 3.29/0.0071
@ 2 mhz 3.3/0.007
热膨胀系数,ppm/℃:
下面的Tg 28
Tg 104以上
玻璃化转变温度(Tg)由TMA,°C 161
可萃取离子含量:
氯化(Cl) 20
钠(Na +) 5
钾(K +) 5
弯曲模量N/mm²7600
(psi) (1102000)
导热系数,W/(m-K) 0.61