SMTJ瞬态抑制TVS管售后保障

捷捷微电将于 4 月 23 日参加由电子工程专辑主办的 “第 22 届电源管理及功率器件论坛”，展位号 P8。

本次活动捷捷演讲时间 14:30 ~ 15:00，演讲主题《USB Type-C® & PD 让梦想成真-捷捷微电的梦》。

2021 年 3 月 26 日，2021（春季）USB PD & Type-C 亚洲展会在深圳市南山区科兴科技园成功举办。本次展会汇聚近百家产业链供应商、服务商，以及上千家采购商。

USB PD＆Type-C 亚洲展与 APEC、PCIM 并称为电源行业三大展会。这三个展拥有各自的特色和用户群体，吸引了来自各个领域电源企业和工程师参会。

捷捷微电 （展位号: E08）携新低导通电阻 SGT MOSFET 、AC/DC 新产线亮相展会现场。前来展位咨询、洽谈的客户众多。

捷捷微电（上海）科技有限公司是已上市的江苏捷捷微电集团旗下一家子公司，坐落于中国（上海）自由贸易试验区临港新片区。从事功率半导体器件的设计、工艺研发和销售。

捷捷上海的核心团队由来自国际半导体公司的事业部总经理、功率器件设计工程师、和一批在芯片工艺、封装技术、产品工程、质量管理和市场销售领域的组成。
工程团队不断突破核心技术，陆续推出自有JSFET® 技术平台、耐压范围在30~150V 的SGT MOSFETs，申请及通过技术专利不少于22项。

结合了新型功率封装技术，这些SGT MOSFETs 性能均对标国际，具行业的低导通阻抗及结电容/荷等电气特性，已被众多世界OEMs&ODMs广泛应用在各种终端：USB PD快充、AC/DC SMPS、电机驱动、锂电保护及BMS、电脑及周边、通信电源等终端。

定义

TVS二极管，又称瞬态抑制二极管，是普遍使用的一种新型电路保护器件，它具有极快的响应时间和相当高的浪涌吸收能力。当它的两端经受瞬间的高能量冲击时，TVS能以的速度把两端间的阻抗值由高阻抗变为低阻抗，以吸收一个瞬间大电流，把它的两端电压箝制在一个预定的数值上，从而保护后面的电路元件不受瞬态高压尖峰脉冲的冲击。

优势

TVS与齐纳二极管：与传统的齐纳二极管相比，TVS二极管P/N结面积更大，这一结构上的改进使TVS具有更强的高压承受能力，同时也降低了电压截止率，因而对于保护手持设备低工作电压回路的安全具有更好效果。

TVS与陶瓷电容：很多设计人员愿意采用表面贴装的陶瓷电容作ESD保护，不但便宜而且设计简便，但这类器件对高压的承受力却比较弱。5kV的冲击会造成约10%陶瓷电容失效，到10kV时，损坏率达到60%，而TVS可以承受15kV电压。在手持设备的使用过程中，由于与人体频繁接触，各个端口至少能够承受8kV接触冲击(IEC61000-4-2标准)，可见使用TVS可以有效终产品的合格率。

TVS与MLV：多层金属氧化物结构器件(MLV)也可以进行有效的瞬时高压冲击抑制，此类器件具有非线性电压-电流(阻抗表现)关系，截止电压可达初中止电压的2～3倍，这种特性适合用于对电压不太敏感的线路和器件的保护，如电源回路。而TVS二极管具有更好的电压截止因子，同时还具有较低的电容，这一点对于手持设备的高频端口非常重要，因为过高的电容会影响数据传输，造成失真或是降级。TVS二极管的各种表面封装均适合流水线装配的要求，而且芯片结构便于集成其它的功能，如EMI和RFI过滤保护等，可有效降低器件成本，优化整体设计。

另一个不能忽略的特点是二极管可以很方便地与其它器件集成在一个芯片上，现有很多将EMI过滤和RFI防护等功能与TVS集成在一起的器件，不但减少设计所采用的器件数目降低成本，而且也避免PCB板上布线时易诱发的伴生自感。

单双向

区分TVS二极管的单双向

直流保护一般选用单向TVS管，交流保护一般选用双向TVS管，多路保护选用TVS阵列器件，大功率保护选用TVS保护模块。但是相比其他的电路保护器件直接的选型应用，TVS二极管在测试前还是先区分其单双向。虽然终的作用是一样的，但是单双向TVS二极管的适用范围还是有差别的，双向TVS管适用于交流电路，单向TVS管一般用于直流电路。

可以直接用万用表测

<1>测量二极管的档位，单向一边通，双向两边都有电压;

<2>测直流，双向对称，单向只有反向是雪崩击穿特性，一般1mA下测。

所有TVS管放大后会有根阴极线，它是用来区分二极管的正负极的，与单双向无关。

单/双向使用上的不同点

1.单向用在直流。双向用在交流;单向tvs管保护器件仅能对正脉冲或者负脉冲进行防护，而双向tvs管保护器件一端接要保护的线路，一端接地，无论来自反向还是来自正向的ESD脉冲均被释放，更有效地保护了IC。

2.单向TVS管的正向特性与普通稳压二极管相同，反向击穿拐点处近似“直角”的硬击穿为典型的PN结雪崩。当有瞬时过压脉冲时，器件的电流急骤增加而反向电压则上升到箝位电压值，并保持在这一水平上;双向TVS管的V-I特性曲线如同两只单向TVS“背靠背”组合，其正反两个方向都具有相同的雪崩击穿特性和箝位特性，正反两面击穿电压的对称关系为0.9≤VBR(正)/VBR (反) ≤1.1。一旦加在它两端的干扰电压超过箝位电压Vc就会立刻被抑制掉。

3.极间电容Cj

单向的比双向的大，以LRC的为例，单向的电容C有65PF，双向的只有15PF;

4.USB数据线上全部用的双向;

5.电流曲线不同。单方向的TVS管的电路符号与普通的稳压管相同，其正向特性与普通二极管相同，反向特性为典型的PN结雪崩器件。双向二极管正反向都是典型的PN结雪崩器件。

双向TVS管可以当成单向来用么?

从市场上看TVS管双向的应用范围更广，从产品单价上看基本没有差别，关键参数电容C越低越好，这就导致电子市场和小型工厂普遍采用双向的TVS管。但通过以上的分析比对，单向和双向有诸多的不同，很多地方可以用双向替双向，但具体用哪种主要的还是看工程的电路设计，有些只能用单向的TVS。