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IR3898MTRPBF英飞凌系列供应

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汽车碳化硅 MOSFET
碳化硅 (SiC) MOSFET 为汽车应用提供率和可靠性。英飞凌广泛的汽车碳化硅MOSFET,包括碳化硅CoolSiC™ MOSFET、碳化硅 MOSFET 分立器件和碳化硅冷却碳化硅™ MOSFET 模块.
这些用于汽车行业的 SiC MOSFET 提供佳性能和高的运行可靠性,并在空间和重量类别方面节省成本。

汽车场效应管应用
在汽车应用中,MOSFET 用于车身电子、动力总成、底盘和安全、汽车安全、电力驱动排水和信息娱乐系统。

汽车应用
英飞凌提供多种 P 沟道功率 MOSFET 产品,专为汽车申请,符合 AEC 标准。
P 沟道功率 MOSFET 降低中低功率应用的设计复杂性
P 沟道 MOSFET 使用空穴流作为电荷载流子,其迁移率低于 N 沟道 MOSFET 中使用的电子流。在功能方面,主要区别在于P沟道MOSFET需要从栅极到源极的负电压(V一般事务人员) 导通(与需要正 V 的 N 沟道 MOSFET 相反一般事务人员电压)。这使得P沟道MOSFET成为高边开关的理想选择。设计的简单性有利于空间有限的低压驱动应用和非隔离POL。P沟道MOSFET特性的一大优势是简化的栅极驱动技术,通常可降低总体成本。

IGBT-绝缘栅双极晶体管
不同电压和电流等级的 IGBT 分立器件、压接式器件、功率模块以及组件解决方案。
我们的 IGBT 产品系列包括多款不同器件。这些产品广泛应用于汽车、牵引、能源传输、工业和消费系统领域。我们的解决方案在正向和阻断状态下功耗非常低,仅需低驱动功率便可发挥率。这些 IGBT 产品可承受高达 6.5 kV 的电压,并可在 2 kHz 至 50 kHz 的开关频率下工作。
借助广泛的技术组合优势,面向工业和功率控制应用的 IGBT ,具有出色的电流承载能力和更高的脉冲负载能力,功耗极低。

英飞凌 CoolGaN™ 是一种的 GaN (氮化镓)晶体管技术,可在高达 600 V 的电压范围内进行功率转换。凭借在半导体市场上积累的长期经验,英飞凌完善了增强模式方案,并可进行大批量端到端生产。的质量确保的标准,于市场上的一众 GaN HEMT 产品中提供了极为可靠且性能的解决方案。

静电保护_浪涌电压保护:当今的消费电子设备中,静电保护(ESD)对于保障严酷瞬变环境下系统的稳健性至关重要。英飞凌提供多种TVS(瞬变电压抑制)二极管,以从系统层面保护电子设备。
快速增长的芯片级封装系列
英飞凌不断地扩大芯片级封装的TVS二极管系列,力求在超小型封装内,以竞争力的价格提供的保护性能,同时质量水平高,性能稳健。

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主营:MCU与微处理器,存储芯片与驱动芯片,电源管理与音频功放,数据转换与无线芯片
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