TLE9180D-21QK英飞凌系列供应
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英飞凌提供广泛的汽车P沟道功率MOSFET产品组合,采用引线封装,采用OptiMOS™ -P2和Gen5技术。
我们的汽车 P 沟道 MOSFET 产品组合提供 30V、40V、55V 和 150V 产品,具有低的 RDS(开启)在 40 V 和高电流能力
汽车 N 沟道 MOSFET
凭借采用多种封装的汽车 N 沟道 MOSFET 产品组合,我们的 MOSFET 可提供的设计灵活性并满足广泛的需求。从 3mm x 3mm 开始,到 10mm x 15mm 的尺寸,您可以找到满足您应用需求的 MOSFET。
此外,新发布的用于40V电机驱动应用的半桥封装,以及用于高功率密度应用的新顶部冷却10mm x 15mm,完善了满足这些特殊要求的产品组合,分别节省了空间和冷却组件的额外成本。
12V-40V N 沟道 MOSFET 产品组合
英飞凌的功率MOSFET 12 V-40 V产品组合分为两类。类是“主动和”,指的是提供同类佳性能和低R的新可用技术DS(开启).第二类是“有源”,非常适合宽开关频率,并提供业界佳的品质因数(FOM)以及率和功率密度。广泛的产品组合OptiMOS™和StrongIRFET™为广泛的需求提供解决方案。