DTS射频芯片焊片美国DTS替代

DTS+TCB预烧结银焊盘工艺提高功率器件通流能力和功率循环能力
在新能源汽车、5G通讯、光伏储能等终端应用的发展下，SiC/GaN等第三代半导体材料水涨船高，成为时下火爆的发展领域之一。

新型SiC芯片可用IPM、TPAK方式封装，以应用于电动车逆变器SiC导线架技术为例，导线架Copper Clip和SiC芯片连接采用烧结银AS9385连接技术，

目前烧结银技术主要用于对可靠性和散热高要求的市场，在引线框架制作上除了要提供高可靠度的镀银品质以符合烧结银的搭接技术以外，由于烧结银的膜厚只有20um-50um，不像传统的锡膏搭接方式可通过锡膏量的调整补正搭接面平整度不佳造成的搭接问题，烧结银的搭接技术对于搭接处的公共平面度要求公差只有20um，对于这种复杂的折弯成型式技术是一大挑战。

GVF预烧结银焊片（DTS+TCB（Die Top System +Thick Cu Bonding）不仅能显著提高芯片连接的导电性、导热性，以及芯片连接的可靠性，并对整个模块的性能进行优化，还能帮助客户提高生产率，降低芯片的破损率，加速新一代电力电子模块的上市时间。

GVF预烧结银焊片（DTS+TCB（Die Top System +Thick Cu Bonding））能够将电力电子模块的使用寿命延长50多倍，并确保芯片的载流容量提高50%以上。

GVF预烧结银焊片（DTS+TCB（Die Top System +Thick Cu Bonding）的使用方法为：Pick & Place；