加压烧结银替代美国烧结银碳化硅烧结银
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烧结银可以解决现有存在的五个难题
总所周知,不论是碳化硅模块还是硅IGBT,电力电子发展总体目标是提高功率(电流,电压)——降低半导体控制和开关时损耗——扩展工作温度的范围——提高使用寿命,稳定性和可靠性——在降低失误率的同时简化控制和保护电路到后的降低成本。
个难题:烧结银膏技术
在芯片与基板的连接中,传统有基板焊接功率模块中,焊接连接往往是模块上的机械薄弱点。
与传统的高温无铅钎料相比,AS9385有压银烧结技术烧结连接层成分为银,具有的导电和导热性能,由于银的熔点高达961℃,将不会产生熔点小于300℃的软钎焊连层中出现的典型疲劳效应,具有的可靠性,且其烧结温度和传统软钎焊料温度相当。
相比焊接模块,加压烧结银的银烧结技术对模组结构、使用寿命、散热产生了重要影响,采用银烧结技术可使模块使用寿命提高5-10倍,
同时在此基础上开发出双面银烧结技术,将银带烧结在芯片正面代替了铝线,或取消底板将基板直接烧结在散热器上,大大简化了模块封装的结构。
芯片连接采用银烧结合金而不是焊接,烧结连接熔点更高,这意味着在给定温度摆幅下连接的老化率将低得多,功率模块的热循环能力可增加5倍。