加压烧结银替代美国烧结银碳化硅烧结银

烧结银可以解决现有存在的五个难题
总所周知，不论是碳化硅模块还是硅IGBT，电力电子发展总体目标是提高功率（电流，电压）——降低半导体控制和开关时损耗——扩展工作温度的范围——提高使用寿命，稳定性和可靠性——在降低失误率的同时简化控制和保护电路到后的降低成本。

个难题：烧结银膏技术
在芯片与基板的连接中，传统有基板焊接功率模块中，焊接连接往往是模块上的机械薄弱点。

与传统的高温无铅钎料相比，AS9385有压银烧结技术烧结连接层成分为银，具有的导电和导热性能，由于银的熔点高达961℃，将不会产生熔点小于300℃的软钎焊连层中出现的典型疲劳效应，具有的可靠性，且其烧结温度和传统软钎焊料温度相当。

相比焊接模块，加压烧结银的银烧结技术对模组结构、使用寿命、散热产生了重要影响，采用银烧结技术可使模块使用寿命提高5-10倍，

同时在此基础上开发出双面银烧结技术，将银带烧结在芯片正面代替了铝线，或取消底板将基板直接烧结在散热器上，大大简化了模块封装的结构。

芯片连接采用银烧结合金而不是焊接，烧结连接熔点更高，这意味着在给定温度摆幅下连接的老化率将低得多，功率模块的热循环能力可增加5倍。