热固化胶液体金属材料的研发电子胶深圳厂家

联系人鲍红美固化时间24小时

性能参考
外观 固化前:青灰色膏状物 固化后:青灰色粉末坚硬固体 颜色可根据客户要求更改。

密度 20℃ 1.65~1.75g/cm

不挥发份≥60% 1.4细度:≤9μm

流淌性≤6.4mm 1.6 附着力 好;

耐介质性 重量变化 2号航空煤油、75号航空汽油、20号航空滑油 ≤±5%

耐压力 23℃ ≥8.8 Mpa;150℃ ≥6.86 Mpa;200℃ ≥6.86 Mpa

腐蚀性:对不锈钢、钢、镍基高温合金均不腐蚀

固化条件:23±2℃×48h 或100℃×30min 。

四、使用说明                                           

 产品工艺性能较好，可直接施工，施工方法可采用毛笔涂抹、滚涂、点胶机自动挤出或丝网印刷。

 对所有接触表面用溶剂清洁后再涂抹硅脂，填满间隙的前提下越薄越好，多涂并无益处，反而会影响热传导

效率。

 用干净的工具如剃刀片，信用卡边或干净的小刀挑起少许导热硅脂转移到施工部位，用刮板刮平，再用无绒布将施工部

位周边多余的导热硅脂擦干净。

五、包装                                             

 塑料筒装，净容量为300ML、500ML、1L、5L；

 金属软管包装, 净容量为50ML、100ML 300ML 2600ML 10KG。

光刻工艺约占整个芯片制造成本的35%，耗时占整个芯片工艺的40%~60%，是半导体制造中核心的工艺。
以半导体光刻胶为例，在光刻工艺中，光刻胶被均匀涂布在衬底上，经过曝光(改变光刻胶溶解度)、显影(利用显影液溶解改性后光刻胶的可溶部分)与刻蚀等工艺，将掩膜版上的图形转移到衬底上，形成与掩膜版完全对应的几何图形。
光刻技术随着IC集成度的提升而不断发展。为了满足集成电路对密度和集成度水平的更高要求，半导体用光刻胶通过不断缩短曝光波长以提高极限分辨率，世界芯片工艺水平目前已跨入微纳米级别，光刻胶的波长由紫外宽谱逐步至g线（436nm）、i线（365nm）、KrF（248nm）、 ArF（193nm）、F2（157nm），以及的EUV(<13.5nm)线水平。