辽宁硅通孔填充⼯艺,TSV电镀

在不同电流密度下的分阶段电沉积实验展示了动态的硅通孔
(TSV) 填充过程。通过控制外加电流密度，可以获得对应于
TSV填充结果的不同形貌。具体来说，低电流密度 (4 mA/
cm 2 ) 会导致接缝缺陷填充，中等电流密度 (7 mA/cm 2 ) 会导
致⽆缺陷填充，⽽⾼电流密度 (10 mA/cm 2 )) 导致空洞缺陷填
充。填充系数分析表明，电流密度对TSV填充模型的影响是
由添加剂和铜离⼦的消耗和扩散的耦合效应触发的。此外，
镀层的形态演变表明局部沉积速率受镀层⼏何特征的影响。
硅通孔 (TSV) 是⼀种很有前途的三维 (3D) 封装技术，具有
⾼性能、减小封装体积、低功耗和多功能等优点。在 TSV ⼯
艺中，通常使用铜电化学沉积 (ECD) 进⾏的通孔填充步骤占
总成本的近 40% 。作为 TSV 的核⼼和关键技术，以小化⼯
艺时间和成本的⽆缺陷填充备受关注。

电子涂料 UV固化材料 晶圆划片保护液 晶圆临时键合减薄 导电银胶 烧结银 纳米银 道康宁 COB胶 红胶 SMT红胶 航空航天胶 耐高温胶 灌封胶 键合金丝 绝缘涂层键合金丝 脱泡机 平行封焊机 点胶机 键合机 KS劈刀 SPT劈刀 劈刀 陶瓷劈刀 洛德 汉高 道康宁 陶氏 X-RAY FIB FBI 武藏点胶机 诺信点胶机 灌封机 失效分析 快速封装 陶瓷管壳封装 COB封装 芯片键合封装 清洗液 晶圆清洗液 硅片清洗液 单晶硅清洗液 蓝宝石切割液 陶瓷划片清洗液 芯片粘接胶 IC粘接胶 IC导电胶 芯片导电胶 IC绝缘胶 汉高乐泰 汉高代理 汉高胶水 乐泰胶水 道康宁胶水 洛德胶 结构胶 汽车电子胶 COMS胶 传感器胶 传感器灌封胶 电子灌封胶 高导热环氧胶 高导热环氧灌封胶 高导热灌封胶 耐低温胶 光纤胶 尾纤粘接 光通信胶 透光胶 阻光胶 光耦胶 乐泰代理 ablestik胶 导热胶 导电导热胶 玻璃银胶 导电胶膜 绝缘胶膜 DAF膜 蓝膜 UV蓝膜 UV膜 导电胶脱泡机 底填胶 脱泡机 芯片胶 芯片导电胶 芯片粘接胶 芯片绝缘胶 CSP底部填充胶 叠die粘接 叠die导电胶 导电导热胶膜 5020胶膜 506胶膜 JM7000导电胶 84-1导电胶 ablestik导电胶 汉高导电胶 乐泰导电胶 洛德灌封胶 乐泰胶膜 芯片开盖机 胶水脱泡机 气密性检测 剪切力检测 芯片拉力测试 芯片陶瓷封装 芯片金属封装 晶圆钝化设备 晶圆刻蚀机 TSV晶圆沉积

TSV 填充
TSV 填充电镀铜有三种⽅法:
共形电镀，自下⽽上的密封凸点电镀， 和超共形电镀。电镀⽅法是以各种三维
集成应用为基础的。总的来说， TSV 的结构是深度在 10 到 200μm 之前的典型
的圆柱形孔。TSV 的深度 取决于芯片或晶圆键合时的所需厚度，⽽ TSV 纵横
比的⼤小则由介电 膜、阻挡层和种⼦层和填充过程决定的。

STYCAST 2561/CAT 11
乐泰 STYCAST 2651MM/CATALYST 23LV
乐泰 STYCAST 2651MM/CATALYST 9
乐泰 STYCAST 2850FT/CAT 11
乐泰 STYCAST 2850FT/CAT 23 LV
乐泰 STYCAST 2850KT/CATALYST 9
乐泰 STYCAST 2850MT/CATALYST 24LV
乐泰 STYCAST 50500D
乐泰 STYCAST A312
乐泰 STYCAST E1070
乐泰 STYCAST E1847
乐泰 STYCAST EFF15 SYNTACTIC FOAM POWDER
乐泰 STYCAST U2500
LOCTITE ABLESTIK 104
LOCTITE ABLESTIK 16-1
LOCTITE ABLESTIK 2000
LOCTITE ABLESTIK 2000B
LOCTITE ABLESTIK 2000T
LOCTITE ABLESTIK 2025D
LOCTITE ABLESTIK 2025DSI
LOCTITE ABLESTIK 2030SC
LOCTITE ABLESTIK 2035SC

小型喷镀机台
配备有Stir Cup适用于研发以及小批量生产。
特别适合于镀孔，Sn/Ag电镀，Cu pillar等电镀制程。
体积小，可对应2寸到8寸晶圆电镀。
只需使用10L或更少的镀液。
配备循环过滤器
配备供排液泵。
Stir Cup