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晶圆经过前道工席后芯片制备完成，还需要经过切割使晶圆上的芯片分离下来，后进行封装。不同厚度晶圆选择的晶圆切割工艺也不同:
厚度100um以上的晶圆一般使用刀片切割;
厚度不到100um的晶圆一般使用激光切割，激光切割可以减少剥落和裂纹的问题，但是在100um以上时，生产效率将大大降低;
厚度不到30um的晶圆则使用等离子切割，等离子切割速度快，不会对晶圆表面造成损伤，从而提高良率，但是其工艺过程更为复杂。

很长一段时间，锯切一直是被广泛使用的传统的切割方法，其大的优点就是可以在短时间内切割大量的晶圆。然而，如果切片速度大幅提高，小芯片边缘剥落的可能性就会变大。因此，应将叶轮的旋转次数控制在每分钟30000次左右。

蓝膜由于受其温度影响乃粘性度会发生变化，而且本身粘性度较高，因此，一般较大面积的芯片或者wafer减薄划切后直接进行后封装工艺，而非直接进行倒封装工艺做Inlay时，可以考虑使用蓝膜。