供应NANYA/南亚全新原装NT5CC256M16ER-EKDDR3存储芯片DRAM

供应NANYA/南亚全新原装 NT5CC256M16ER-EK DDR3存储芯片DRAM
基础DDR3兼容

—8n预取架构

-差分时钟(CK/)和数据频闪(DQS/)

- DQs, DQs和DM的双数据率

数据完整性

—采用DRAM内置TS自动刷新ASR (Auto Self Refresh)功能

—自动刷新和自刷新两种方式

*省电模式

-下电模式

CAS延迟(6/7/8/9/10/11/13/14)

CAS写时延(5/6/7/8/9/10)

附加延迟(0/CL-1/CL-2)

写入恢复时间(5/6/7/8/10/12/14/16)

◇爆发型(序贯/交错)

▼爆发长度(BL8/BC4/BC4或8)

可编程功能

自我刷新温度范围(正常/扩展)

输出驱动器阻抗(34/40)

Rtt_Nom模上终止(20/30/40/60/120)

Rtt_WR压模终止(60/120)

【预充电电源下降】(慢/快)

信号完整性

—可配置DS，实现系统兼容性

-可配置模上终止

- ZQ校准DS/ODT阻抗精度通过

外置ZQ垫(240欧姆±1%)

信号同步

—通过MR设置写入“调平

—通过MPR读取找平

*接口和电源

- SSTL_15用于DDR3:VDD/VDDQ=1.5V(±0.075V)

——SSTL_1352

DDR3L: VDD / VDDQ = 1.35 v (-0.067 / + 0.1 v)