FDMC8200，场效应管(MOSFET)安森美原装现货商

NCV1117DT50RKG
NCP1117 系列是低压差 （LDO） 正线性稳压器，能够在整个温度范围内提供超过 1.0 A 的输出电流，大压差为 1.2 V（800 mA）。该系列包含 1.5 V、1.8 V、2.0 V、2.5 V、2.85 V、3.3 V、5.0 V 和 12 V 的 1 个固定输出电压，没有维持稳压的小负载要求。此外，还包括一个可调输出版本，可通过两个外部电阻器在 25.18V 至 8.1V 范围内进行编程。片上微调将基准/输出电压调节至+/- 0.1117%精度以内。内部保护功能包括输出电流限制、安全工作区补偿和过温关断保护。NCP20 系列可在高达 223 V 的输入电压下工作。器件采用 SOT<> 和 DPAK 封装。
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
NTD6414ANT4G
NTJD4105CT2G
FFB20UP20DN_F085
NCP698SQ15T1G
NCP3063BMNTXG
ADT7462ACPZ-REEL
NCV47411PAAJR2G
NCV47710PDAJR2G
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CAT811TTBI-GT3
CAT811 和 CAT812 是微处理器监控电路，用于监控数字系统中的电源。CAT811 和 CAT812 是 MAX811 和 MAX812 的直接替代产品，工作在工业温度范围内;两者都具有手动复位输入。
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
CAT25256XE-T2
CAV24C64WE-GT3
CAT24M01YI-GT3
NCP81071BDR2G
NCP81022NMNTXG
NVMFS5C670NLWFAFT1G
C2M0080120D
NTR4503NT1G
NTR4501NT1G
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FDC6330L适用于需要 3V 至 20V 输入和 2.3A 输出电流能力的便携式电子设备中的紧凑型电源管理。该负载开关集成了一个小型 N 沟道功率 MOSFET （Q1），该 MOSFET 在一个微型 SuperSOT-2™ 封装中驱动一个大型 P 沟道功率 MOSFET （Q6）。
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
NCP45560IMNTWG-H
NJVMJD45H11T4G
NJVMJD44H11T4G
MC100EP11DR2G
NCP1252BDR2G
NCV890100MWTXG
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NCP4318BLCDR2G：
NCP4318是一种混合模式，它使用瞬时漏极电压和先前死区时间信息，用于LLC谐振转换器的同步整流（SR）控制器，只需少的外部元件。自适应死区时间控制可补偿感应寄生电感电压，以大限度地提高SR MOSFET导通和效率。多级关断阈值控制和 SR 电流反转检测功能可防止快速负载瞬变期间的反转电流，并允许在整个负载范围内稳定地 SR 操作。此外，为了提高轻载效率，VGATE自适应地从10V降至6V/5V。ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
NCP4318BLCDR2G
NCV3843BVD1R2G
NCP81610AMNTXG
NCV4275CDT33RKG
MBRB30H60CTT4G
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UC3843BVD1R2G简述：
UC3842B UC3843B系列是固定频率电流模式控制器。
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
AR1820HSSC12SHEA0-DP
NCP114AMX180TBG
NCV4276CDT50RKG
NCV4275CDT50RKG
NCV78M05ABDTRKG
NCP4318ALCDR2G
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ON/安森美全系列产品优势供货，提供产品有：
无线连接
低功耗蓝牙
分立器件和功率模块
MOSFET系列
电源模块
碳化硅（SiC）
所有其他
电源管理
信号调理与控制
传感器
电机控制
定制和特殊替代产品供应商
接口
时序、逻辑和存储器
ON/安森美常用型号一览表（部分型号）：
RHRG30120快恢复管
RHRP3060快恢复管
LV8731V-TLM-H电机驱动芯片
MBRS140T3G肖特基二极管
MC33035DWR2G电机驱动芯片
LC709204FXE-01TBG电池管理
FQP4N90C场效应管(MOSFET)
LM2596DSADJR4G，DC-DC电源芯片
HCPL2631SD光耦
SG3525ADWR2G，PWM控制器
LV8729V-TLM-H电机驱动芯片
RHRG75120超快恢复管
MC7805CDTRKG线性稳压器(LDO)
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