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电学器件
摘要:本发明涉及一种电学器件,包括绝缘基底及磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜,该绝缘基底具有相对的表面及第二表面,该磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜生长在该表面,该磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜的材料由化学式Cry(BixSb1-x)2-yTe3表示,其中0< x< 1,0< y< 2,且x与y的值选择为使铬在该磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜中引入的空穴型载流子与铋在该磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜中引入的电子型载流子基本相互抵消,该磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜的厚度为3QL至5QL。
杂志简介:
《兰台内外》创刊于1984年,是由吉林省档案局;吉林省档案学会主办的图书、情报与档案期刊。该刊坚持实事求是、理论与实际相结合的严谨学风,传播的科学文化知识,弘扬民族科学文化,促进国际科学文化交流,探索高等教育、教学及管理诸方面的规律,活跃教学与科研的学术风气,为教学与科研服务。
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研究报告、文献综述、简报、专题研究
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