生产氮化硅陶瓷的企业,氮化硅转子轴

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氮化硅陶瓷和一般硅酸盐陶瓷不同之处在于其中氮和硅的结合属于共价键性质的键合,因而有结合力强、绝缘性好的特点氮化硅的烧结与一般陶瓷的烧结工艺不同,采用的是反应烧结法,此法制造的氮化硅陶瓷,不能达到很高的致密度,一般只能达到理论密度的79%左右,不能制造厚壁部件提高氮化硅陶瓷致密度的有效方法之一就是在高温下进行加压烧结,由此可得到热压氮化硅陶瓷,其室温抗弯强度一般都在800~1000MPa如果在其中添加少量氧化钇和氧化铝的热压氮化硅,室温抗弯强度可达到1500MPa,在陶瓷材料中,硬度很高,是世界上坚硬的物质之一;极耐高温,强度一直可以维持到1200℃的高温而不下降,受热后不会熔成融体,一直到1900℃才会分解;有惊人的耐化学腐蚀性能,能耐几乎所有的无机酸(氢氟酸除外)和30%以下的烧碱溶液,也能耐很多有机酸的腐蚀,同时又是一种电绝缘材料由于其热膨胀系数小,抗温度急变能力很强,因此氮化硅陶瓷具有优良的力学性能,在工程技术的应用上已占有重要地位<br>

莫氏硬度9~9.5，维氏硬度约为2200，显微硬度为32630MPa
耐热，在常压下，Si3N4没有熔点，于1870℃左右直接分解，可耐氧化到1400℃，实际使用达1200℃<br>

在氧化气氛中可使用到1400℃，在中性或还原气氛中一直可使用到1850℃<br>

不同晶相得氮化硅外观是不同的，α- Si3N4呈白色或灰白色疏松羊毛状或针状体，β- Si3N4则颜色较深，呈致密的颗粒状多面体或短棱柱体，氮化硅晶须是透明或半透明的，氮化硅陶瓷的外观呈灰色、蓝灰到灰黑色，因密度、相比例的不同而异，也有因添加剂呈其他色泽<br>

氧化铝、碳化硅多孔陶瓷的热膨胀曲线 图， 两种多孔陶瓷在30～1000℃下都处于受热膨胀状态，但是碳化硅受热后随着温度的增加，膨胀比例增加缓慢，而氧化铝受热后随着温度的增加膨胀比例增加迅速<br>
熔点1900℃（加压下）<br>

α碳化硅制成制成防晕带后电阻率升高值下降，颗粒越粗，值下降越大;防晕带与粉料的非线性性质有相似的规律，而α碳化硅具有比β碳化硅低得多的电阻率和较大的非线性系数，并且其电阻率和非线性系数收到粉料的粒径、合成温度和涂层有机物含量等因素的直接影响<br>

临界应变能量释放率可以 通过有限元程序计算 双面涂层三层复合梁三点弯曲试验示意图Fig Three-point bend test triplexcompound beams 改进的拉伸试验测量界面应变能量释放率 大多数断裂试验使用边界裂纹试样，但边界裂 纹可能与埋藏在涂层 基体界面处裂纹或缺陷的破坏机制不能完全吻合<br>
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