NCE6080KNCEN通道增强模式电源MOSFET中文规格书

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NCE6080K采用的沟槽技术和设计，提供的RDS(ON)与低栅极充电。它可以用于广泛的应用。一般功能●VDS=60V，ID=80ARDS（开）<8.5mΩ@VGS=10V●高密度电池设计Rdson●完全特征雪崩电压和电流●良好的稳定性和一致性与高EAS●良好的散热应用●PWM●负载开关UIS测试！的∆Vds测试！
注：1。重复额定值：脉冲宽度受高接结温度的限制。 2.表面安装在FR4板上，t≤10秒。 3.脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%。 4.由设计，不受生产的约束5。EAS条件：Tj=25℃，VDD=20V，VG=10V，L=0.5mH、Rg=25Ω

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公司主营BPS晶丰明源,锐俊 长运通， 新洁能，亚成微，明微， 台湾茂达 台湾聚积等MOS 新洁能 威兆 瑞森 美浦森只做原装