SS210BF二极管ASEMI(SMBF)技术资料共享

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摘要 : 本节我们要讲的是雪崩二极管和双向触发二极管：雪崩二极管是在稳压管工艺技术基础上发展起来的一种微波功率器件，它在外加电压的作用下可以产生高频振荡。

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本节我们要讲的是雪崩二极管和双向触发二极管：

雪崩二极管（Avalanche Diode） 雪崩二极管是在稳压管工艺技术基础上发展起来的一种微波功率器件，它在外加电压的作用下 可以产生高频振荡。 雪崩二极管利用雪崩击穿对晶体注入载流子，因载流子渡越半导体晶片需要一定的时间，所以 其电流滞后于电压，出现延迟时间，若适当地控制渡越时间，那么，在电流和电压关系上就会 出现负阻效应，从而产生高频振荡。它常被应用微波通信、雷达、遥控、遥测、仪 器仪表等设备中。 双向触发二极管 双向触发二极管也称二端交流器件(DIAC)。 它是一种硅双向电压触发开关器件，当双向触发二极管两端施加的电压超过其击穿电压时，两 端即导通，导通将持续到电流中断或降到器件的较小保持电流才会再次关断。双向触发二极管 通常应用在过压保护电路、移相电路、晶闸管触发电路、定时电路中。 变容二极管 变容二极管(英文名称variable—Cacitance Diode，缩写为VCD)是利用反向偏压来 改变PN结电容量的特殊半导体器件。变容二极管相当于一个容量可变的电容器，它的两个电极 之间的PN结电容大小，随加到变容二极管两端反向电压大小的改变而变化。当加到变容二极管 两端的反向电压增大时，变容二极管的容量减小。由于变容二极管具有这一特性，所以它主要 用于电调谐回路(如彩色电视机的高频头)中，作为一个可以通过电压控制的自动微调电容器。 选用变容二极管时，应着重考虑其工作频率、反向工作电压、正向电流和零偏压结电 容等参数是否符合应用电路的要求，应选用结电容变化大、高Q值、反向漏电流小的变容二极 管。