LTC4412HVIS6理想二极管和NTMFS4926NT1G和PHP45NQ10T晶体管

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一、LTC4412HVIS6 OR 控制器，理想二极管：
类型 源极选择器开关
FET 类型 P 沟道
比率 - 输入:输出 2：1
内部开关 无
延迟时间 - 开启 110µs
延迟时间 - 关闭 13µs
电流 - 输出（大值） -
电流 - 电源 18µA
电压 - 电源 2.5 V ~ 36 V
应用 汽车级，手持，USB 电源
工作温度 -40°C ~ 125°C
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商器件封装 TSOT-23-6



二、NTMFS4926NT1G 晶体管 - FET，MOSFET - 单 ：
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9A（Ta），44A（Tc）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（大值） 7 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（大值） 2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（大值） 17.3nC @ 10V
Vgs（大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（大值） 1004pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（大值） 920mW（Ta），21.6W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳 8-PowerTDFN，5 引线



三、PHP45NQ10T 晶体管 - FET，MOSFET - 单 ：
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 47A（Tc）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（大值） 25 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（大值） 4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（大值） 61nC @ 10V
Vgs（大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（大值） 2600pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（大值） 150W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220AB
封装/外壳 TO-220-3


公司还长期供应以下型号：
NTMFS4926NT1G
AMMC-5025
AMMC-6345
CDCVF2510PWR
CDCDLP223PWR
PHP45NQ10T
PSMN8R7-100YSFX
1473565-4
L9733XPTR
BCM54618SEA2KFBG
MCC225-16IO1
SP3072EEN
SI2151-A10
CY7C1354CV25-200AXC
LTC4412HVIS6
V110C3V3T50BG
MT25204A0


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