硅片电子级

等级：Prime
生长方式：CZ/FZ
直径:100mm+/-0.2mm 150mm+/-0.2mm
导电类型/掺杂 P/Boron N/Phos
晶向：<100>+/-0.5deg/<110>+/-0.5deg /<111>+/-0.5deg
电阻率（欧姆厘米）： (0.0001 - 0.9 ）/(1 - 10)/ (10 - 100)/ >100 />1000
厚度(um)：525+/-15 可定制
表面/背面： 抛光/腐蚀 抛光/抛光
表面粗糙度(纳米) ：<0.2纳米
整体厚度公差TTV(um)：<3um
平整度TIR(um)： < 1um
弯曲度(um) ：<10um
翘曲度(um)：<15
颗粒：<30@0.3um <10@0.2um
位错:无
晶体缺陷：无
少子寿命(us)：电子级