MOS管烧结银三代半加压烧结银中国加压烧结银膏

而在电动车辆中，电力电子器件节省空间、重量轻、并且即使在恶劣的条件下也要工作可靠。为了满足这些要求，传统基于模块的封装方式已经不能适应下游市场发展的需要，

与传统的高温无铅钎料相比，AS9385有压银烧结技术烧结连接层成分为银，具有的导电和导热性能，由于银的熔点高达961℃，将不会产生熔点小于300℃的软钎焊连层中出现的典型疲劳效应，具有的可靠性，且其烧结温度和传统软钎焊料温度相当。

烧结层厚度较焊接层厚度薄60-70%，热传导率提升5倍，国内外诸多厂商把银烧结技术作为第三代半导体封装的核心技术，银烧结技术成为芯片与基板之间连接的选择.