ZXMN2A01E6TA金属氧化物场效应晶体管

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产品属性：
制造商: Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-26-6
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 3.1 A
Rds On-漏源导通电阻: 225 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 12 V
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
配置: Single Quad Drain
Pd-功率耗散: 1.1 W
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 1.3 mm
长度: 3.1 mm
产品: MOSFET Small Signal
系列: ZXMN2
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: MOSFET
宽度: 1.8 mm
商标: Diodes Incorporated
下降时间: 5.21 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 5.21 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 7.47 ns
典型接通延迟时间: 2.49 ns
单位重量: 15 mg

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