钜兴供应MBR20200肖特基势垒整流二极管半塑封TO-220AB封装
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1000-1999只¥1.50
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2000-2999只¥1.50
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≥ 3000只¥1.10
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MBR10100 肖特基势垒整流二极管
肖特基二极管 肖特基管 插件型二极管
大电流半导体电子,
硅导金属垫片,瞬态保护环,
低功耗,率
高电流、低VF
高浪涌能力
低漏电流
进口环氧树脂包封,阻燃性更好,适用于低电压,高频逆转器。
清晰印字,明显极性标志
封装:TO-220AB 半塑封三脚
高额定值和电特性是在25℃的环境温度下进行额定值,除非另有规定。
其参数系数:
VRRM:200V
IF:20A
IFSM:150A
VF:0.85V
Cj:250pF
Vrms:140V
肖特基二极管是以N型半导体为基片,在上面形成用砷作掺染剂的N一外延层。阳性(阻挡层)金属材料是钼。二氧化硅用来消除边缘区域电场,提高肖特基二极管的耐压值。N型基片掺杂浓度比N一层高100倍,具有很小的通态电阻。基片下部的N+阴极层用以减小阴极的接触电阻。通过调整结构参数,可在基片与阳极金属之间形成合适的肖特基二极管。