江苏新北区英伟达芯片回收IC回收
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新一代比老一代:频率更高、容量更大、速度更快、电压更低,DDR4加快普及中,成为市场主流,不同代内存条可通过内存上的标签贴纸或看防呆口位置就可以分辨。
DRAM(Dynamic Random Access Memory),即动态随机存取存储器,为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。
Flash内存即Flash Memory,全名叫Flash EEPROM Memory,又名闪存,是一种命的非易失性(在断电情况下仍能保持所存储的数据信息)的存储器,数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位,区块大小一般为256KB到20MB。
闪存是电子可擦除只读存储器(EEPROM)的变种,EEPROM与闪存不同的是,它能在字节水平上进行删除和重写而不是按区块擦写,这样闪存就比EEPROM的更新速度快,所以被称为Flash erase EEPROM,或简称为Flash Memory。
由于其断电时仍能保存数据,闪存通常被用来保存设置信息,如在电脑的BIOS(基本输入输出程序)、PDA(个人数字助理)、数码相机中保存资料等。另一方面,闪存不像RAM(随机存取存储器)一样以字节为单位改写数据,因此不能取代RAM。
DDR2(Double Data Rate 2) SDRAM是由JEDEC(电子设备工程联合会)进行开发的新生代内存技术标准,它与上一代DDR内存技术标准大的不同就是,虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式,但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力(即:4bit数据读预取)。换句话说,DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据,并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。