RFFM4227集成IC芯片/IRLB3036PBFN沟道场效应晶体管

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规格：
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 195A（Tc）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（大值） 2.4 毫欧 @ 165A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（大值） 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（大值） 140nC @ 4.5V
Vgs（大值） ±16V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（大值） 11210pF @ 50V
FET 功能 -
功率耗散（大值） 380W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220AB
封装/外壳 TO-220-3

描述：
英飞凌 - 国际整流器功率 MOSFET 可以提高产品的效率、功率密度及成本效益。OptiMOS™ 及 StrongIRFET™ N 沟道功率 MOSFET 全线产品可以在开关模式电源（SMPS）、电机控制与驱动、逆变器和计算中实现创新与性能。OptiMOS™ 及 StrongIRFET™ 系列包含 20V 到 300V 的功率 MOSFET 产品。英飞凌供应 OptiMOS™ 及 StrongIRFET™ 产品系列。这是两个高度创新的产品系列，一贯符合功率系统设计关键规格中的和性能要求。OptiMOS™ 是发电、供电、用电市场的解决方案。

RFFM4227集成IC芯片/IRLB3036PBF N沟道场效应晶体管：此型号为我司长期原装现货产品，因市场价格变动幅度较大，实际交易请以当天咨询为准，实单者请致电客服人员，欢迎订购。

公司还以下产品：
RFPA5218
RFFM4227
TLV62569DBVR
MCIMX257CJN4A
IRLB3036PBF
MK64FX512VLQ12
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AD8629ARZ
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TCS3200D
NCS2553DR2G
MSP430F2272IRHAT
XC6SLX16-2CSG324I
IRF624PBF

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