第三代半导体烧结银膏无压烧结银膏广东烧结银

高导热率：导热率可达3130W/mK
4高导电率：体阻低至2.2*10-6
5 耐候性好：-55-250°C

随着车辆从微型和轻度混合动力过渡到完全混合动力、插电式混合动力和电动车辆，动力总成千瓦的需求急剧增加。这些应用要求优化效率，在规定的电池尺寸下实现更长的续航里程

实现规模生产：善仁新材的烧结银可以多种产品形式供应，再加上Ag、Au和Cu表面处理方案，可提供的灵活解决方案，帮助客户实现规模化生产和提高良率。

随着汽车的电子化和EV、HEV的实用化以及SiC/GaN器件的亮相等，车载功率半导体正在走向多样化。比如，不仅是单体的功率MOSFET，将控制IC（电路）一体化了的IPD（IntelligentPowerDevice）也面世且品种不断增加。

多样化了的车载功率半导体，尤其是EV和HEV用车载功率半导体的耗电量不断增加，为了应对这个问题，就要求封装实现（1）低电阻、（2）高散热、（3）高密度封装。而AS9385烧结银工艺正是解决这一难题的关键技术。

烧结银一般粘结大功率器件，比如第三代半导体，大功率LED，射频器件等；一般的导电银胶粘结普通的代集成电路封装，对导电导热效果要求不高的界面等。

对于大功率芯片封装来说，烧结银表现出了传统解决方案所没有的优势。