广州订制半导体器件低温烧结银厂家,烧结银膏

善仁新材烧结银的烧结机理
善仁新材的银烧结的驱动力是降低表面能/界面能。原子表面由于具有不饱和键，因此具有表面能。表面能随着原子半径的减小而增加。初银颗粒存在有机层，随着加热过程有机层去除，银颗粒相互接触，进行烧结。

烧结中期是从孔洞（pores）达到平衡形态（equilibrium shapes）开始的，这一阶段主要是致密化，与终产物密度的相关性达到97%，因此是烧结过程的主要阶段。

善仁新材开发的烧结银技术被定位为继焊料之后的次世代接合技术，由于比焊料更能耐受高温，具有的散热性，可望适用于电动车(EV)、碳化硅(SiC)功率半导体等用途。但相对于焊料在回焊(Reflow)时可快速接合，很多国外的烧结银则须利用装置进行加压制程，因此有生产效率的问题，且加压装置会增加投资成本。

善仁新材开发的AS9375功率器件烧结银胶能适用于无加压的低温烧结，具有使用上的便利性。且即使是在无加压的氮气氛围下进行烧结，亦能发挥的接合强度与导电率。

烧结银AS9375在氮气氛围下230-250℃、1小时的剪切强度为20 MPa以上，空气条件下230-250℃、1小时的剪切强度则为45 MPa以上，而在空气条件下200℃、1小时的接合强度是40 MPa以上。

但是以利用纳米粒子进行烧结接合的金属而言，相较于银，铜较容易变成氧化状态，且使用比表面积较大的纳米粒子，氧化倾向就更为显著，氧化被膜一旦生成，将进而导致接合时的阻碍，也因此氧化被膜的生成提高了铜烧结技术的难度。