福建南京中科微Si12T电容传感器12通道控制面板应用

Si12T低功耗412通道电容传感器的电气特性：
VDD = 3.3 V，典型系统频率（除非特别标注），TA = 25℃

Si12T:芯片代码
A: 封装日期年代码，5 代表 2020 年
BB:加工发出周记，例如 42 代表是 A 年的第 42 周发出加工
C:封装工厂代码，为 A、HT、NJ 或 WA，也简写为 A、H、N 或 W
D:测试工厂代码，为 A、Z、或 H
EE:生产批次代码

Si12T 低功耗12通道电容触摸传感器产品参数：
8 种灵敏度立可调：睡眠模式下电流为 3.5µA（@3.3V）