黄浦定制氮化镓二极管联系方式

GaN属III-V族氮化物材料，是一种极稳定的化合物，又是坚硬的高熔点材料（熔点约为1700℃）。通常条件下，GaN以六方对称性纤锌矿2H结构存在, 它在一个元胞中有4个原子，原子体积大约为GaAs的一半。但在一定条件下也能以立方对称性的闪锌矿3C结构存在。从晶体学上讲，两种结构的主要区别在于沿(111)晶向原子 a =0.3189n c = 0.5185nm；立方GaN的晶格常数公认的数值为 0.452nm 左右。Ga溶于水、酸和碱，而在热的碱溶液中以非常缓慢的速度溶解。

氮化镓（化学式GaN）被称为“半导体材料”，可用于制造用途广泛、性能强大的新一代微芯片。属于所谓的宽禁带，而氮化镓的禁带宽度为3.4 eV（电子伏）的半导体，它是一种用于发展率、大功率微电子器件和光电子器件的新型半导体材料。

氮化镓GaN材料的研究与应用是当前全球半导体研究的和热点。它是一种用于开发微电子器件和光电子器件的新型半导体材料。继代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。具有宽的直接带隙、强的原子键、高的导热率、良好的化学稳定性（几乎不被任何酸腐蚀）和强的抗辐射性能。应用于光电子、高温大功率器件以及高频微波器件中的应用具有广阔的前景。