WPCN385LA0DG,WINBOND/华邦存储芯片
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面议
W25Q32JV(
32M位)串行闪存为空间、引脚和功率有限的系统提供了一个存储解决方案。25Q系列提供的灵活性和
性能远远超过普通的系列闪存设备。它们是理想的代码阴影到RAM,直接从双/四轴SPI(
XIP)执行代码,并存储
语音、文本和数据。该设备运行在一个2.7V到3.6V的电源与1µA断电。所有的设备都有节省空间的套餐。
W25Q32JV阵列被组织成16,384个可编程页,每页有256字节。一次多可以编程256个字节。页面可分为16组(4KB
扇区清除)、128组(32KB块删除)、256组(64KB块删除)或整个芯片(芯片清除)。W25Q32JV分别有1,024个可
擦除扇区和64个可擦除块。小型的4KB扇区允许在需要数据和参数存储的应用程序中具有更大的灵活性。
WINBOND/华邦其他部分型号:
W19B160BBT7H W24L257S70LL
W19B320ABT7H W256128JVSIQ
W19L320STT9C W25D40VNIG
W241024AI-15 W25D40VSSIG
W24129AS-35 W25D80SCP
W24257AJ-15 W25D80VSSIG
W24257AS-35 W25H512JVFAM
W24258-70LL W25LQ32DWIG
W2465AJ-15 W25M02GVZEIG
W2465S-70LL W25M02GWZEIG
WINBOND/华邦常用型号备有大量现货,公司承诺所售产品均为原装,如需了解更多品牌,产品型号规格请咨询我们的销售人员。
W25Q16F系列:
W25Q16FWUXIE
W25Q16FWBYIG
W25Q16FWSSIQ
W25Q16FWUUIQ
W25Q16FWSNIQ
W25Q16FWZPIQ
W25Q16FWSNIG
W25Q16FWSSIG
W25Q16FWSVIQ
W25Q16FWBIYG
产品特性:
W25Q16FW(16M 位)串行闪存为空间、引脚和功耗有限的系统提供存储解决方案。
25Q 系列提供的灵活性和性能远远超过普通串行闪存设备。
它们非常适合将代码影子复制到 RAM,直接从双/四通道 SPI (XIP) 执行代码并存储语音、文本和数据。
该器件采用 1.65V 至 1.95V 单电源供电,电流消耗低至 4mA 有效,关断电流低至 1μA。所有器件均采用节省空间的封装。
串行闪存 – 104MHz 单通道、双通道/四通道 SPI 时钟 – 等效于 208/416MHz 双通道/四通道 SPI – 50MB/S 连续数据传输速率 – 每个扇区至少 100K 编程擦除周期 – 超过 20 年的数据保留
W25X系列支援Dual-SPI双线输出入模式,相当于将原本标准SPI的操作频率变为两倍。W25Q系列是25X系列的进阶版,可支援Quad-I/O SPI四线输出入模式提供更高的效能,操作频率104MHz同等于416MHz(50M-Byte/S传输率),相当于是一般单线SPI操作的4倍效能。W25Q系列不但效能超过Parallel flash,还提供更少脚位的封装。
更快的传输率代表控制器可以直接透过SPI介面与闪存做晶片内执行(XIP, eXecute In Place),或是加快复制代码到RAM使开机速度加快。除此之外,部份SpiFlash支援QPI (Quad Peripheral Interface)让指令集可更快的传输,加快XIP的传输效率。另外更小的封装, 更利于对设计空间有限的手持和行动装置应用。®
WINBOND/华邦其他部分型号:
W25Q16DVZPIG W25Q16FWSSIQ
W25Q16DVZPIQ W25Q16FWSVIQ
W25Q16DWBYIG W25Q16FWUUAQ
W25Q16DWSNAG W25Q16FWUUIQ
W25Q16DWSSIG W25Q16FWUXIE
W25Q16DWUUIG W25Q16FWZPIQ
W25Q16DWYS06 W25Q16JLSNIG
W25Q16DWZPIG W25Q16JVBYIQ
W25Q16FWBYIG W25Q16JVNIQ
WINBOND/华邦常用型号备有大量现货,公司承诺所售产品均为原装,更多信息咨询我们的销售人员。
W634GU6NB-12
W634GU6NB-11
W634GU6NB-09
W634GU6NB-15
DDR3 SDRAM提供了比DDR2 SDRAM更大的频宽并广泛用于汽车,工业,电视,机上盒,网路设备,电脑,BD播放器等。
已发布的 CAS,具有可编程的加性延迟(AL = 0、CL - 1 和 CL - 2),可提高命令、地址和数据总线效率
读取延迟 = 附加延迟加上 CAS 延迟 (RL = AL + CL) 读取和写入突发
的自动预充电操作 刷新、自刷新、自动自刷新 (ASR) 和部分阵列自刷新 (PASR)
预充电掉电和主动断电
用于写入数据
的数据掩码 (DM)
每个工作频率
的可编程 CAS 写入延迟 (CWL) 写入延迟 WL = AL + CWL
多用途寄存器 (MPR),用于读出预定义的系统时序校准位序列 通过写入电平和 MPR 读取模式
支持系统级时序校准 ZQ 使用外部基准电阻对地对地对输出
驱动器和 ODT 进行校准 用于上电初始化序列
和复位功能的
可编程片上端接 (ODT),用于数据、数据掩模和差分选通对
动态 ODT 模式可改善写入
期间的信号完整性和可预选的端接阻抗 2K 字节页面大小
接口:SSTL_15
WINBOND/华邦其他部分型号:
W25Q20EWBYIG W25Q256JVEIM
W25Q20EWSVIG W25Q256JVEIQ
W25Q20EWUXIE W25Q256JVEIQT
W25Q256FVEIG W25Q256JVEQ
W25Q256FVEIM W25Q256JVFAM
W25Q256FVEIQ W25Q256JVFIM
W25Q256FVEJQ W25Q256JVFIN
W25Q256FVEM W25Q256JVFIQ
W25Q256FVFG W25Q256JVFJQ
W25Q256FVFIG W25Q256JVFQ
W25Q256JVEAQ W25Q256JWFIQ
公司承诺所售产品均为原装,更多信息请或电话咨询我们的销售人员。
W29N02KV系列产品:
W29N02KVSIAF
W29N02KVBIAF
一般描述 W29N02KV(2G 位)NAND 闪存为空间、引脚和功耗有限的嵌入式系统提供了存储解决方案。它是 RAM、固态应用程序的代码阴影和存储媒体数据(如语音、视频、文本和照片)的理想选择。该器件采用 2.7V 至 3.6V 单电源供电,3V 时有功电流消耗低至 25mA,CMOS 待机电流为 10uA。 内存阵列总计 285,212,672 字节,并组织成 2,048 个 139,264 字节的可擦除块。 每个块由 64 个可编程页面组成,每个页面 2,176 字节。每个页面由 2,048 字节用于主数据存储和 128 字节用于备用数据区域组成(备用区域通常用于错误管理功能)。
WINBOND/华邦其他部分型号:
W25Q256JWFQ W25Q32FVAIQ
W25Q32BVAIG W25Q32FVCIP
W25Q32BVFIG W25Q32FVDAIQ
W25Q32BVIG W25Q32FVFIG
W25Q32BVS1G W25Q32FVIG
W25Q32BVSIG W25Q32FVSFIG
W25Q32BVSSAG W25Q32FVSIG
W25Q32BVSSIG W25Q32FVSIQ
W25Q32BVZPIG W25Q32FVSSIG
W25Q32DWSSIG W25Q32FVSSIQ
W25Q32DWZPIG W25Q32FVTBIP
主营产品:MCU单片、存储芯片、晶振、滤波双工器、传感器、射频IC、电源管理IC、音频功放、驱动芯片、接口IC、蓝牙芯片、监控芯片、WIFI芯片、网络通讯芯片、汽车芯片、定位芯片、耦合器。
NAND+LPDDR2系列:
W71NW10GE3FW
W71NW10HE3FW
W71NW10HM3FW
W71NW20GF3FW
W71NW20KM3FW
W71NW20KJ3FW
W71NW42KJ3FW
1Gb NAND + 512Mb LPDDR2
W25N01GW产品特性:
一般描述
W25N01GW(1G 位)串行 SLC NAND 闪存为空间、引脚和功耗有限的系统提供存储解决方案。
它们非常适合将代码影子复制到 RAM,直接从双/四通道 SPI (XIP) 执行代码并存储语音、文本和数据。
待机电流低至 10μA。
W958D6DBC
这是一个256M位CellularRAM™兼容产品,组织为16M字乘16位;专为低功耗便携式应用开发的高速CMOS伪静态随机存取存储器。
WINBOND/华邦其他部分型号:
W25Q32JWBYIQ W25Q40BWZPIG
W25Q32JWUUIQ W25Q40CLSNIG
W25Q32JWZPIQ W25Q40CLSSIP
W25Q40BVNIG W25Q40CLUXIG
W25Q40BVSNIG W25Q40CVUXJG
W25Q40BWSNIG W25Q40EWBYIG
W25Q40BWUXIE W25Q40EWSNIG
公司承诺所售产品均为原装,更多信息请或电话咨询我们的销售人员。
一般描述 :W29N02GV(2G 位)NAND 闪存为空间、引脚和功耗有限的嵌入式系统提供存储解决方案。它是 RAM、固态应用程序的代码阴影和存储媒体数据(如语音、视频、文本和照片)的理想选择。该器件采用 2.7V 至 3.6V 单电源供电,3V 时有功电流消耗低至 25mA,CMOS 待机电流为 10uA。 内存阵列总计 276,824,064 字节,并组织成 2,048 个 135,168 字节的可擦除块。 每个块由 64 个可编程页面组成,每个页面 2,112 字节。每个页面由主数据存储区域的 2,048 字节和备用数据区域的 64 字节组成(备用区域通常用于错误管理功能)。 W29N02GV 支持标准 NAND 闪存接口,使用多路复用 8 位总线传输数据、地址和命令指令。五个控制信号(CLE、ALE、#CE、#RE和#WE处理总线接口协议。此外,该器件还有另外两个信号引脚,#WP(写保护)和 RY/#BY(就绪/忙碌),用于监控器件状态。
W25Q256FV:
3 字节或 4 字节寻址模式
UID 和 OTP 功能
易失性和非易失性 SR
单个块/扇区写保护
可编程输出驱动器强度
WINBOND/华邦其他部分型号:
W25Q32FVTCIG W25Q32JVSSIQ
W25Q32FVTCIP W25Q32JVSSIQT
W25Q32FVZPIG W25Q32JVSSIQ-T
W25Q32FWBYIC W25Q32JVTBIQ
W25Q32FWIG W25Q32JVTCIM
W25Q32FWSSAQ W25Q32JVTCIQ
W25Q32FWSSIG W25Q32JVXGIQ
W25Q32FWXGIG W25Q32JVZEIQ
W25Q32FWZPIG W25Q32JVZPAQ
W25Q32JVSIQ W25Q32JVZPIG
W25Q32JVSNIQ W25Q32JVZPIM
W25Q32JVSSAM W25Q32JVZPIQ
公司承诺所售产品均为原装,更多信息请或电话咨询我们的销售人员。