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K2S99的低音单元以JBLSFG对称磁场回路技术配合特殊加强型纸盘振膜，提供丰满而稳定感的低音重现。中高音部分的部分技术来源于旗舰的钹合金476Be，是一只1mm直径的镁合金号角喇叭，压缩单体型号是476Mg，与旗舰相比只是震膜材料不同，以铝镁合金制造扩散号筒，即使在敏感的18kHz以上的高音振动也得到很好的处理，而且也减少了相位干涉这种问题。而高音部分，采用的是与旗舰DD66一样的45Be-1音压缩单体，此单体的性能非常出色，比其前旗舰ProjectK2S98SE采用的45Be在频的表现更好，在3kHz以上的波段的音量输出提高了5dB之多，而且即使在5kHz以上的音频也不会产生不良的振动。对NIST的材料科学家开发的制造方法的描述发表在固体薄膜214年1月刊上。该技术可以使用多种类型的纳米粒子，可改善不同应用的表面涂层质量。在三重双层办法之前，研究者尝试了各种各样的层层涂布方法，但所有方法都未能满足他们的三个关键目标：泡沫多孔表面的全覆盖，碳纳米管的均匀分布，以及该方法的实用性。在大多数的这些尝试中，碳纳米管没有牢固地粘附到泡沫的表面。研究人员选择对碳纳米管本身进行改性，借助于制造DN：分子粘棒中的细胞培养技术，该方法将含氮分子(胺基)连接到纳米管的表面。