WPCE775LA0DG，WINBOND/华邦存储芯片

W988D6FBGX7I
Winbond 256Mb低功率SDRAM是一种低功率同步存储器，包含268,435,456个由Winbond工艺技术制造的存储单元。它的设计是比普通的SDRAM消耗更少的功率，低功率功能的必要条件，使用电池的应用。它可在两个组织提供： 2,097,152字×4银行×32位或4,194,304字×4银行×16位。该设备以完全同步的模式运行，输出数据被同步到系统时钟的正边缘，并能够以高达166MHz的时钟速率传输数据。该设备支持特殊的低功耗功能，如部分阵列自刷新（PASR）和自动温度补偿自刷新（ATCSR）。低功耗SDRAM适用于2.5G / 3G手机、PDA、数码相机、移动游戏机和其他需要大内存密度和低功耗的手持应用程序。设备从1.8V电源运行，支持1.8V LVCMOS总线接口。
WINBOND/华邦同系列其他型号：
W988D6FBGX6
W988D6FBGX6E
W988D6FBGX7E
W988D6FBGX7G
W988D6FBGX71
W988D2FBJX6
W988D2FBJX7E
W988D2FBJX7G
W988D2FBJX6E
WINBOND/华邦常用型号备有大量现货，公司承诺所售产品均为原装，如需了解更多品牌，产品型号规格请咨询我们的销售人员。

NAND+LPDDR2系列：
W71NW10GE3FW
W71NW10HE3FW
W71NW10HM3FW
W71NW20GF3FW
W71NW20KM3FW
W71NW20KJ3FW
W71NW42KJ3FW
1Gb NAND + 512Mb LPDDR2
W25N01GW产品特性：
一般描述
W25N01GW（1G 位）串行 SLC NAND 闪存为空间、引脚和功耗有限的系统提供存储解决方案。
它们非常适合将代码影子复制到 RAM，直接从双/四通道 SPI （XIP） 执行代码并存储语音、文本和数据。
待机电流低至 10μA。
W958D6DBC
这是一个256M位CellularRAM™兼容产品，组织为16M字乘16位;专为低功耗便携式应用开发的高速CMOS伪静态随机存取存储器。
WINBOND/华邦其他部分型号：
W25Q32JWBYIQ W25Q40BWZPIG
W25Q32JWUUIQ W25Q40CLSNIG
W25Q32JWZPIQ W25Q40CLSSIP
W25Q40BVNIG W25Q40CLUXIG
W25Q40BVSNIG W25Q40CVUXJG
W25Q40BWSNIG W25Q40EWBYIG
W25Q40BWUXIE W25Q40EWSNIG
公司承诺所售产品均为原装，更多信息请或电话咨询我们的销售人员。

W958D6DBC：这是一个256M位CellularRAM™兼容产品，组织为16M字乘16位;专为低功耗便携式应用开发的高速CMOS伪静态随机存取存储器。
PSRAM（虚拟静态随机存取记忆体）是由一个DRAM主体核心与传统SRAM介面所组成。晶片上的刷新电路，可省略使用者需要记忆体刷新的考量。相对于传统的CMOS SRAM，PSRAM具有更高容量，高速度，更小的晶片尺寸，以及与DRAM相容的优势
WINBOND/华邦其他部分型号：
W25Q64DWSS1G W25Q64FVSSBQ
W25Q64DWSTIM W25Q64FVSSIG
W25Q64DWZPIG W25Q64FVSSIQ
W25Q64FVAIQ W25Q64FVSTIM
W25Q64FVBYIF W25Q64FVTCIP
W25Q64FVFIG W25Q64FVZEIG
W25Q64FVSFIG W25Q64FVZPIG
W25Q64FVSIG W25Q64FWBYIG
W25Q64FVSIQ W25Q64FWIG
公司承诺所售产品均为原装，更多信息请或电话咨询我们的销售人员。