苏州供应晶圆挑片器硅片挑片器

现有晶圆片生产过程中,需要从一道生产工序转移到下一道生产上,现有技术中依靠人力进行传送,传送过程的耗费人力,且人为传送力道不能掌握,容易造成破片。为此,我们提供了一种自动晶圆传片器以解决以上问题。

晶圆经过前道工席后芯片制备完成，还需要经过切割使晶圆上的芯片分离下来，后进行封装。不同厚度晶圆选择的晶圆切割工艺也不同:
厚度100um以上的晶圆一般使用刀片切割;
厚度不到100um的晶圆一般使用激光切割，激光切割可以减少剥落和裂纹的问题，但是在100um以上时，生产效率将大大降低;
厚度不到30um的晶圆则使用等离子切割，等离子切割速度快，不会对晶圆表面造成损伤，从而提高良率，但是其工艺过程更为复杂。

顶面碎片，它发生晶圆的顶面，变成一个合格率问题，当切片接近芯片的有源区域时，主要依靠刀片磨砂粒度、冷却剂流量和进给速度。
背面碎片发生在晶圆的底面，当大的、不规则微小裂纹从切割的底面扩散开并汇合到一起的时候。当这些微小裂纹足够长而引起不可接受的大颗粒从切口除掉的时候，BSC变成一个合格率问题。如果背面碎片的尺寸在10um以下，忽略不计。另一方面，当尺寸大于25um时，可以看作是潜在的受损。可是，50um的平均大小可以接受，示晶圆的厚度而定。

在切片或任何其它磨削过程中，在不超出可接受的切削质量参数时，新一代的切片系统可以自动监测施加在刀片上的负载，或扭矩。对于每一套工艺参数，都有一个切片质量下降和BSC出现的极限扭矩值。切削质量与刀片基板相互作用力的相互关系，和其变量的测量使得可以决定工艺偏差和损伤的形成。工艺参数可以实时调整，使得不超过招矩极限和获得大的进给速度。
外圆切割组然操作简单，但据片刚性差，切割全过程中锯片易方向跑偏.造成被切割工们的平面度差；而内圆切割只有进行直线切割，没法进行斜面切割。线锯切割技术具备割缝窄、率、切成片、可进行曲线图切别等优点成为口前普遍选用的切割技术。
硅圆片切割应用的目的是将产量和合格率大，同时资产拥有的成本小。可是，挑战是增加的产量经常减少合格率，反之亦然。晶圆基板进给到切割刀片的速度决定产出。随着进给速度增加，切割品质变得更加难以维持在可接受的工艺窗口内。进给速度也影响刀片寿命。在许多晶圆的切割期间经常遇到的较窄迹道(street)宽度，要求将每一次切割放在迹道中心几微米范围内的能力。这就要求使用具有高分度轴精度、高光学放大和对准运算的设备。