DTS烧结银系统广东DTSDTS+TBC工艺
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单管封装中引入扩散焊“Diffusion Soldering”,省了芯片与lead frame之间的焊料,优化了器件热阻。以1200V/30mOhm的SiC MOSFET单管为例,基于GVF预烧结银焊片,相比当前焊接版的TO247-3/4L,可降低约25%的稳态热阻Rth(j-c),和约45%的瞬态热阻。
SHAREX的预烧结银焊片GVF9800(DTS+TCB(Die Top System +Thick Cu Bonding)是结合了烧结银,铜箔和其他材料的一种复合材料,由以下四个部分组成:具有键合功能的铜箔;预涂布AS9385系列烧结银;烧结前可选用临时固定的胶粘剂;保护膜或者承载物。
GVF预烧结银焊片(DTS+TCB(Die Top System +Thick Cu Bonding)的使用方法为:Pick & Place;