碳化硅加压烧结银三代半加压烧结银替代德国烧结银

烧结银可以解决现有存在的五个难题
总所周知，不论是碳化硅模块还是硅IGBT，电力电子发展总体目标是提高功率（电流，电压）——降低半导体控制和开关时损耗——扩展工作温度的范围——提高使用寿命，稳定性和可靠性——在降低失误率的同时简化控制和保护电路到后的降低成本。

个难题：烧结银膏技术
在芯片与基板的连接中，传统有基板焊接功率模块中，焊接连接往往是模块上的机械薄弱点。

相比焊接模块，加压烧结银的银烧结技术对模组结构、使用寿命、散热产生了重要影响，采用银烧结技术可使模块使用寿命提高5-10倍，

芯片连接采用银烧结合金而不是焊接，烧结连接熔点更高，这意味着在给定温度摆幅下连接的老化率将低得多，功率模块的热循环能力可增加5倍。

目前SHAREX开发的银烧结技术已经由微米银烧结进入纳米银烧结阶段，纳米加压烧结银与市面上原来售卖的微米烧结银技术相比：

连接温度和辅助压力均有明显下降，扩大了工艺的使用范围。在银烧结技术中，为了防止氧化和提高氧化层的可靠性，