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三星电子(Samsung Electronics)计划于2021年量产FinFET晶体管架构的后继产品——采用3纳米(nm)制程节点的环绕式闸极(gate-all-around;GAA)晶体管。在上周二(5月22日)举行的年度代工技术论坛上，这家韩国巨擘重申将在今年下半年使用极紫外光(EUV)微影开始7nm生产的计划。

据该公司介绍，MCBFET使用纳米片元件来增强闸极控制，显著提高晶体管的性能。 三星去年曾经说计划在2020年开始使用4nm节点的GAA晶体管。然而，业界观察家预计GAA要到2022年之后才能投产。 Gartner的代工厂研究副总裁Samuel Wang预计，三星将在2022年左右正式量产GAA晶体管。

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自2000年代初以来，三星和其他公司一直在开发GAA技术。GAA晶体管是场效晶体管(FET)，在通道的四个侧面都有一个闸极，用于克服FinFET的实体微缩和性能限制，包括供电电压。 Samsung Foundry市场副总裁Ryan Sanghyun Lee表示，自2002年以来，三星专有的GAA技术被称为多桥通道FET (MBCFET)。

Wang说：「但看起来他们的进展速度比预期更快。」 Kevin Krewell 说：「三星的发展蓝图十分积极，我知道他们在EUV上进展迅速，但也在这方面设置了很高的门槛。」 但是，Krewell补充说：「仍然有其他转寰办法，而且时间表可能有所变动。」 

据了解，包括英特尔(Intel)和台积电(TSMC)等其他芯片制造商正在开发越FinFET但类似于GAA FET的自家下一代晶体管。去年6月，IBM与其研究联盟合作伙伴三星和Globalfoundries在日本京都举办的2017年超大型集成电路技术和电路会议专题讨论会(2017 Symposia on VLSI Technology and Circuits conference)上，描述他们为基于堆栈纳米片制造5nm GAA晶体管而开发的程。

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