OT409/STD60NF06T4N沟道场效应晶体管

深圳市星际金华电子公司原装 OT409/STD60NF06T4N沟道场效应晶体管 原厂 现货出售 欢迎咨询

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OT409：
晶体管类型 N 通道
频率 175MHz
增益 13dB
电压 - 测试 12.5V
额定电流1A
噪声系数 -
电流 - 测试 20mA
功率 - 输出 2W
电压 - 额定 40V
封装/外壳 SOT-409A
供应商器件封装8-CSMD

STD60NF06T4：
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）60A（Tc）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（大值） 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（大值）66nC @ 10V
Vgs（大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（大值） 1810pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（大值） 110W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（大值）16 毫欧 @ 30A，10V
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 D-Pak
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

优势货源：
IRL630STRRPBF
IRFR320TR
OT409
BH1417F
STD60NF06T4
MC34063ADR2G
BH1415F
IR21844STRPBF
HEF4013BP
ADR5045ARTZ
BCM20733A2KML1G
UCC27523DR
ISO7221BDR
TDA9881TS
LM5116MH
ADUM1401ARWZ
ADT75ARZ
LT1248CS
IRS4428STRPBF
HUF76439S3ST
NJW0281G
NJW0302G
MJE15031G
LTC2360IS6
TPS54372PWPR

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