PSMN7R5-30MLDX和CSD87335Q3D晶体管

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PSMN7R5-30MLDX ：
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 57A（Tc）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（大值） 2.2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（大值） 11.3nC @ 10V
Vgs（大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（大值） 655pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（大值） 45W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（大值） 7.6 毫欧 @ 15A，10V
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 LFPAK33
封装/外壳 SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引线）



CSD87335Q3D ：
FET 类型 2 N 沟道（双）非对称型
FET 功能 标准
漏源电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） -
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（大值） -
不同 Id 时的 Vgs（th）（大值） 1.9V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（大值） 7.4nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（大值） 1050pF @ 15V
功率 - 大值 6W
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-PowerLDFN
供应商器件封装 8-LSON（3.3x3.3）


公司还长期供应以下型号：
TPS62134ARGTR
TPS51285ARUKR
MAX16125WTDP29
AT30TS74-U1FMDB
TPS53319DQPR
MAX9644EBS
PSMN7R5-30MLDX
LP5562TMX
NCP4623HMXADJTCG
CBTL06GP213EE
NCX2200GM
CSD87335Q3D
MKL17Z256VMP4R
LTC4307IDD-1
PTN3355BS
PTN3393BS
PTN36242LBS
NCS199A3SQT2G
5SGSMD5H2F35I2L
W632GU6MB-12


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