南京定制晶圆导片器硅片倒片器

晶圆随着芯片技术升级和降低成本需要而不断发展。在降低成本方面，通过不断变大晶圆尺寸以容纳更多电路和减少废弃比例就是晶圆的历史发展趋势。从1970年代至今，晶圆尺寸已经由过去的100mm（4英寸）发展至当前的300mm（12英寸）。根据IC Insight统计，2016年晶圆出货量为10738百万平方英寸，其中300mm晶圆占晶圆产能的63.6%，预计到2021年，将有123家12英寸晶圆厂，产能占比将达到71.2%。由于目前18英寸晶圆技术尚未成熟，且成本高昂，需求不足，未来几年内300mm（12英寸）晶圆仍将是主流技术路线

硅晶圆切片工艺是在“后端”装配工艺中的步。在芯片的分割期间，刀片碾碎基础材料(晶圆)，同时去掉所产生的碎片。材料的去掉沿着晶方(dice)的有源区域之间的切割线(迹道)发生的。冷却剂(通常是去离子水)指到切割缝内，改善切割品质，和通过帮助去掉碎片而延长刀片寿命。每条迹道(street)的宽度(切口)与刀片的厚度成比例。

在许多晶圆的切割期间经常遇到的较窄迹道(street)宽度，要求将每一次切割放在迹道中心几微米范围内的能力。这就要求使用具有高分度轴精度、高光学放大和对准运算的设备。当用窄迹道切割晶圆时的一个常见的推荐是，选择尽可能薄的刀片。可是，很薄的刀片(20µm)是非常脆弱的，更容易过早破裂和磨损。结果，其寿命期望和工艺稳定性都比较厚的刀片差。对于50~76µm迹道的刀片推荐厚度应该是20~30µm。